| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第11-14页 |
| 1.3 本文主要工作及章节安排 | 第14-15页 |
| 第二章 硅基功率放大器基础 | 第15-35页 |
| 2.1 CMOS器件简介 | 第15-21页 |
| 2.1.1 MOSFET结构与工作原理 | 第15-17页 |
| 2.1.2 片上电感模型 | 第17-21页 |
| 2.2 功率放大器中的非线性失真 | 第21-25页 |
| 2.2.1 MOSFET非线性模型 | 第21-23页 |
| 2.2.2 谐波失真与交调失真 | 第23-24页 |
| 2.2.3 AM-AM与AM-PM效应 | 第24-25页 |
| 2.3 功率放大器的性能参数 | 第25-27页 |
| 2.3.1 输出功率 | 第25页 |
| 2.3.2 效率 | 第25-26页 |
| 2.3.3 线性度 | 第26-27页 |
| 2.3.4 稳定性 | 第27页 |
| 2.4 功率放大器的分类 | 第27-31页 |
| 2.4.1 经典类型功率放大器 | 第27-30页 |
| 2.4.2 开关类型功率放大器 | 第30-31页 |
| 2.5 CMOS功率放大器的机遇和挑战 | 第31-33页 |
| 2.5.1 CMOS功率放大器的发展机遇 | 第31页 |
| 2.5.2 CMOS功率放大器的设计挑战 | 第31-33页 |
| 2.6 CMOS功放设计的一般方法 | 第33-34页 |
| 2.6.1 阻抗匹配 | 第33页 |
| 2.6.2 负载牵引 | 第33-34页 |
| 2.7 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 基于180nmCMOS工艺的射频功率放大器设计 | 第35-59页 |
| 3.1 系统方案与指标 | 第35-37页 |
| 3.1.1 国内频谱资源划分简介 | 第35-36页 |
| 3.1.2 同类功率放大器参考 | 第36-37页 |
| 3.1.3 系统结构及设计指标 | 第37页 |
| 3.2 基于GlobalFoundries180nmCMOS工艺的PA设计 | 第37-51页 |
| 3.2.1 工艺介绍 | 第38-41页 |
| 3.2.2 功放电路设计 | 第41-47页 |
| 3.2.3 链路仿真结果 | 第47-48页 |
| 3.2.4 版图与测试 | 第48-51页 |
| 3.3 采用其它180nmCMOS工艺的进一步设计 | 第51-57页 |
| 3.3.1 基于TSMC180nmCMOS工艺的PA设计 | 第51-55页 |
| 3.3.2 基于IBM180nmCMOSSOI工艺的PA设计 | 第55-57页 |
| 3.4 设计结果分析 | 第57-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 基于TSMC65nmCMOS工艺的5G功率放大器设计 | 第59-70页 |
| 4.1 系统要求与功放设计指标 | 第59页 |
| 4.2 电路设计 | 第59-66页 |
| 4.2.1 晶体管选型 | 第59-61页 |
| 4.2.2 功率管芯设计 | 第61-63页 |
| 4.2.3 增益平坦化分析 | 第63-64页 |
| 4.2.4 匹配电路设计 | 第64-66页 |
| 4.3 后仿真结果 | 第66-69页 |
| 4.3.1 小信号仿真结果 | 第66-68页 |
| 4.3.2 大信号仿真结果 | 第68-69页 |
| 4.4 版图与芯片照片 | 第69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第76页 |
