| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 半导体金属氧化物气体传感器 | 第12-15页 |
| 1.2.1 半导体金属氧化物传感器的概述 | 第12页 |
| 1.2.2 影响半导体金属氧化物气体敏感性能的因素 | 第12-14页 |
| 1.2.3 半导体金属氧化物气体敏感的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.3 WO_3的晶体结构和气敏性研究进展 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的选题依据、主要内容及创新点 | 第16-18页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第16-17页 |
| 1.4.2 主要内容 | 第17页 |
| 1.4.3 创新点 | 第17-18页 |
| 2 实验 | 第18-25页 |
| 2.1 实验用品及仪器 | 第18-19页 |
| 2.1.1 实验用品 | 第18页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第18-19页 |
| 2.2 材料制备过程 | 第19-21页 |
| 2.2.1 单斜相WO_3的制备 | 第19-20页 |
| 2.2.2 六方相WO_3的制备 | 第20-21页 |
| 2.2.3 Ag负载WO_3的制备 | 第21页 |
| 2.3 结构表征方法 | 第21-22页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第21页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第21页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第21-22页 |
| 2.3.4 氮气吸附脱附测试(BET) | 第22页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第22页 |
| 2.4 气敏性研究方法 | 第22-25页 |
| 2.4.1 元件的制备及测试平台 | 第22-23页 |
| 2.4.2 气敏性指标 | 第23-25页 |
| 3 单斜相WO_3的制备及其气敏性能研究 | 第25-43页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 合成工艺对WO_3结构和性能的影响 | 第25-41页 |
| 3.2.1 微波水热温度的影响 | 第25-29页 |
| 3.2.2 溶液pH的影响 | 第29-39页 |
| 3.2.3 含有氧空位的单斜相WO_3对丙酮敏感性增强机理 | 第39-41页 |
| 3.2.4 WO_3对丙酮的选择性机理 | 第41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 4 六方相WO_3制备及其气敏性能研究 | 第43-55页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 工艺因素对WO_3材料结构和性能的影响 | 第43-54页 |
| 4.2.1 溶液pH的影响 | 第43-47页 |
| 4.2.2 草酸加入量的影响 | 第47-53页 |
| 4.2.3 六方相WO_3气敏机理探究 | 第53-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 5 Ag负载WO_3材料的合成及其气敏性能研究 | 第55-64页 |
| 5.1 引言 | 第55-56页 |
| 5.2 Ag的负载量对WO_3材料气敏性能的影响 | 第56-62页 |
| 5.3 机理探究 | 第62-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 6 结论及展望 | 第64-66页 |
| 6.1 结论 | 第64页 |
| 6.2 展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及专利成果 | 第76-77页 |