| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 附图说明 | 第12-16页 |
| 附表 | 第16-17页 |
| 1 综述 | 第17-42页 |
| 1.1 超薄二维纳米材料 | 第17-21页 |
| 1.2 超薄二维纳米材料MoS_2薄膜的性质 | 第21-24页 |
| 1.3 超薄二维层状纳米材料的制备 | 第24-31页 |
| 1.4 超薄二维层状纳米材料的应用 | 第31-39页 |
| 1.4.1 太阳能电池 | 第32-33页 |
| 1.4.2 超级电容器 | 第33-35页 |
| 1.4.3 气敏传感器 | 第35-36页 |
| 1.4.4 光电子器件 | 第36-39页 |
| 1.5 本论文的研究目的和内容 | 第39-42页 |
| 2 二维MoS_2薄膜的制备与表征 | 第42-52页 |
| 2.1 引言 | 第42页 |
| 2.2 实验所用仪器和试剂 | 第42-43页 |
| 2.3 二维层状MoS_2薄膜的制备与表征 | 第43-50页 |
| 2.3.1 大面积高质量层状MoS_2薄膜的制备 | 第43-45页 |
| 2.3.2 大面积MoS_2薄膜的表征 | 第45-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 3 二维MoS_2薄膜异质结光电探测器的设计及其性能研究 | 第52-71页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 测试所用主要仪器 | 第52-53页 |
| 3.3 光电探测器性能表征 | 第53-55页 |
| 3.4 基于MoS_2/Si异质结光电探测器的制备及其性能研究 | 第55-60页 |
| 3.4.1 MoS_2/Si异质结光电探测器的制备 | 第55页 |
| 3.4.2 MoS_2/Si异质结光电探测器性能的研究 | 第55-60页 |
| 3.5 MoS_2/SiNWA异质结光电探测器的制备及其性能研究 | 第60-70页 |
| 3.5.1 MoS_2/SiNWA异质结光电探测器的制备 | 第60-62页 |
| 3.5.2 MoS_2/SiNWA异质结光电探测器的性能研究 | 第62-70页 |
| 3.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 4 二维MoS_2薄膜异质结传感器的设计及其性能研究 | 第71-87页 |
| 4.1 引言 | 第71页 |
| 4.2 实验所用主要试剂和设备 | 第71-72页 |
| 4.3 基于MoS_2/SiNWA异质结湿度传感器的性能研究 | 第72-78页 |
| 4.4 基于MoS_2/SiNWA异质结气敏传感器的性能研究 | 第78-85页 |
| 4.5 本章小结 | 第85-87页 |
| 5 总结与展望 | 第87-89页 |
| 5.1 总结 | 第87-88页 |
| 5.2 展望 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-98页 |
| 个人简历及研究生期间的成果 | 第98-100页 |
| 个人简历 | 第98页 |
| 硕士期间发表论文 | 第98-99页 |
| 发明专利 | 第99-100页 |
| 获奖情况 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
