首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--脉冲技术、脉冲电路论文

基于SI-GaAs自击穿样品产生高压重频纳秒脉冲的研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
1 绪论第8-12页
    1.1 引言第8-9页
        1.1.1 脉冲功率系统第8页
        1.1.2 脉冲功率开关第8-9页
    1.2 重复频率脉冲功率技术第9-10页
        1.2.1 国内外研究现状第9页
        1.2.2 重复频率脉冲功率技术的发展趋势第9-10页
    1.3 固态开关器件简介第10-11页
    1.4 本文主要工作第11-12页
2 SI-GaAs自击穿产生高压纳秒电脉冲第12-20页
    2.1 SI-GaAs材料特性第12-14页
        2.1.1 GaAs材料的性质第12-13页
        2.1.2 SI-GaAs中的EL2深缺陷能级第13页
        2.1.3 GaAs中的雪崩击穿第13-14页
    2.2 光电导开关高倍增模式第14-15页
    2.3 SI-GaAs自击穿样品的工作模式及特点第15-18页
    2.4 SI-GaAs自击穿样品的工作原理第18页
    2.5 存在的问题第18-19页
    2.6 本章小结第19-20页
3 基于MOSFET控制SI-GaAs自击穿样品重频运行第20-42页
    3.1 基于SI-GaAs自击穿样品重频运行设计思路第20-22页
    3.2 基于SI-GaAs自击穿样品重频运行方案第22-23页
    3.3 辅助断路开关选型及驱动电路设计第23-30页
        3.3.1 辅助断路开关选型第23-24页
        3.3.2 MOSFET驱动电路设计第24-30页
    3.4 基于MOSFET控制SI-GaAs自击穿样品重频运行实验第30-35页
        3.4.1 方案一关断电源实验结果第30-31页
        3.4.2 方案二A短路储能电容实验第31-33页
        3.4.3 方案二B关断放电回路实验第33-34页
        3.4.4 重频运行方案结果分析第34-35页
    3.5 方案二B中储能电容对重频运行输出波形的影响第35-40页
    3.6 本章小结第40-42页
4 SI-GaAs自击穿样品延迟特性的研究第42-52页
    4.1 开关器件的延迟第42-43页
    4.2 SI-GaAs样品输出的电脉冲延迟特性的研究第43-48页
        4.2.1 延迟时间测定的基本方法第43-44页
        4.2.2 SI-GaAs自击穿样品延迟特性实验验证研究第44-46页
        4.2.3 储能电容对SI-GaAs延迟时间的影响第46-48页
    4.3 高压纳秒脉冲触发点与击穿关联性的实验验证第48-50页
        4.3.1 实验验证第49-50页
    4.4 本章小结第50-52页
5 基于延迟击穿现象分析纳秒级电脉冲输出特性第52-58页
    5.1 基于时间延迟现象解释脉冲输出特性第52-57页
    5.2 本章小结第57-58页
6 结论与展望第58-60页
    6.1 研究工作总结第58页
    6.2 展望第58-60页
致谢第60-62页
参考文献第62-64页

论文共64页,点击 下载论文
上一篇:基于声信号与IMU融合的室内定位与跟踪系统研究
下一篇:二维磁性半导体三卤化铬的磁光效应研究