| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 钙钛矿材料 | 第11-12页 |
| 1.3 钙钛矿材料的应用 | 第12-15页 |
| 1.3.1 钙钛矿材料在太阳能电池中的应用与发展 | 第12-14页 |
| 1.3.2 钙钛矿光电探测器 | 第14-15页 |
| 1.4 CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x钙钛矿的性质 | 第15-18页 |
| 1.5 高质量钙钛矿薄膜的制备 | 第18-23页 |
| 1.5.1 薄膜质量对器件性能的影响 | 第18-20页 |
| 1.5.2 钙钛矿薄膜的制备方法 | 第20-23页 |
| 1.6 论文主要内容和创新点 | 第23-26页 |
| 1.6.1 选题依据与研究意义 | 第23-24页 |
| 1.6.2 本论文主要工作及创新点 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-33页 |
| 第二章 样品的制备与测试表征方法 | 第33-37页 |
| 2.1 主要仪器与试剂 | 第33-34页 |
| 2.2 玻璃片基底的清洗 | 第34页 |
| 2.3 传统退火(CA)方法CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜的制备 | 第34-35页 |
| 2.4 热压(PS)方法CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 2.5 溶剂辅助热压(ST)方法CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 第三章 CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x原位红外光谱检测 | 第37-43页 |
| 3.1 实验部分 | 第37页 |
| 3.2 常规条件下CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x的稳定性 | 第37-38页 |
| 3.3 常压氮气中CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x的稳定性 | 第38-39页 |
| 3.4 高压氮气中CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x的稳定性 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 热压方法制备CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜及其光电器件性能研究 | 第43-59页 |
| 4.1 传统退火(CA)方法制备CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜分析 | 第43-46页 |
| 4.1.1 传统退火方法制备CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜XRD及形貌表征 | 第43-44页 |
| 4.1.2 传统退火方法制备CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x光电器件 | 第44-46页 |
| 4.2 热压方法制备CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜 | 第46-48页 |
| 4.3 降温时间对薄膜质量影响及其光电性能的研究 | 第48-50页 |
| 4.4 压力对薄膜质量影响及其光电性能的研究 | 第50-53页 |
| 4.5 恒温时间对薄膜质量影响及其光电性能的研究 | 第53-55页 |
| 4.6 温度对薄膜质量影响及其光电性能的研究 | 第55-57页 |
| 4.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 溶剂辅助热压方法制备CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜及其光电器件性能研究 | 第59-77页 |
| 5.1 溶剂辅助热压(ST)方法制备CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜 | 第59-60页 |
| 5.2 降温时间对薄膜质量及其光电性能的研究 | 第60-62页 |
| 5.3 压力对薄膜质量及其光电性能的研究 | 第62-65页 |
| 5.4 恒温时间对薄膜质量及其光电性能的研究 | 第65-67页 |
| 5.5 温度对薄膜质量及其光电性能的研究 | 第67-69页 |
| 5.6 高质量CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜的研究 | 第69-75页 |
| 5.7 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及申请的专利 | 第80-81页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第81页 |
