| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 热电效应与热电材料 | 第10-15页 |
| 1.2 电子能带工程 | 第15-18页 |
| 1.3 低维热电材料 | 第18-24页 |
| 1.4 热电材料与拓扑绝缘体 | 第24-26页 |
| 1.5 本文的工作 | 第26-28页 |
| 2 理论基础 | 第28-41页 |
| 2.1 密度泛函理论简介 | 第28-33页 |
| 2.2 玻尔兹曼输运理论 | 第33-40页 |
| 2.3 计算流程 | 第40-41页 |
| 3 能带工程优化PbTe基和ZrS_2的热电性能研究 | 第41-66页 |
| 3.1 能带工程优化PbTe基热电性能的研究概述 | 第41-43页 |
| 3.2 能带简并优化PbTe基n型热电性能的研究 | 第43-51页 |
| 3.3 轨道简并优化层状化合物热电性能研究概述 | 第51-55页 |
| 3.4 轨道简并优化过渡金属硫化物ZrS_2的热电性能研究 | 第55-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 4 单层过渡金属硫族化合物的热电性能研究 | 第66-80页 |
| 4.1 单层过渡金属硫族化合物热电性能的研究进展 | 第66-70页 |
| 4.2 单层过渡金属硫族化合物ZrSe_2和HfSe_2的热电性能研究 | 第70-79页 |
| 4.3 本章小结 | 第79-80页 |
| 5 MPtBi(M=Sc,Y,La)和TlBiSe_2拓扑绝缘体的热电输运研究 | 第80-102页 |
| 5.1 热电材料与拓扑绝缘体研究概述 | 第80-85页 |
| 5.2 Half-Heusler拓扑绝缘体MPtBi(M=Sc,Y,La)的热电性质研究 | 第85-93页 |
| 5.3 拓扑绝缘体TlBiSe_2的热电输运研究 | 第93-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 6 总结与展望 | 第102-104页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第102-103页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-115页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第115-117页 |
| 附录2 攻读博士学位期间所获奖励 | 第117页 |
