| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-42页 |
| 1.1 ZnO的基本性质 | 第12-15页 |
| 1.1.1 ZnO的基本特性 | 第12页 |
| 1.1.2 ZnO的结构特性 | 第12-13页 |
| 1.1.3 ZnO的能带结构 | 第13-15页 |
| 1.2 ZnO的本征缺陷及掺杂缺陷 | 第15-22页 |
| 1.2.1 ZnO的本征缺陷 | 第15-18页 |
| 1.2.2 第三族元素掺杂的ZnO | 第18-19页 |
| 1.2.3 ZnO中的H | 第19-22页 |
| 1.3 ZnO的导电机制 | 第22-25页 |
| 1.3.1 掺杂浓度对载流子浓度的影响 | 第23页 |
| 1.3.2 影响薄膜迁移率的因素 | 第23-25页 |
| 1.4 常见的透明导电薄膜 | 第25-26页 |
| 1.4.1 In_2O_3基透明导电薄膜 | 第25页 |
| 1.4.2 SnO_2基透明导电薄膜 | 第25-26页 |
| 1.4.3 Cd_2SnO_4透明导电薄膜 | 第26页 |
| 1.4.4 ZnO基透明导电薄膜 | 第26页 |
| 1.5 ZnO基薄膜的制备方法 | 第26-32页 |
| 1.5.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第26-27页 |
| 1.5.2 化学气相沉积(CVD) | 第27-28页 |
| 1.5.3 溶胶凝胶法(Sol‐gel) | 第28-29页 |
| 1.5.4 磁控溅射(MS) | 第29-32页 |
| 1.6 ZnO薄膜的应用领域 | 第32-36页 |
| 1.6.1 透明电极 | 第32-34页 |
| 1.6.2 电磁屏蔽和防静电膜 | 第34-35页 |
| 1.6.3 面发热膜 | 第35页 |
| 1.6.4 气敏传感器 | 第35页 |
| 1.6.5 红外隐身材料与热红外反射镜 | 第35-36页 |
| 1.7 本文的研究内容 | 第36页 |
| 参考文献 | 第36-42页 |
| 第二章 实验仪器及实验内容介绍 | 第42-47页 |
| 2.1 磁控溅射RAS‐1100C设备简介 | 第42-43页 |
| 2.2 样品的制备 | 第43-44页 |
| 2.3 样品的性能表征 | 第44-45页 |
| 2.3.1 薄膜的电性能和光学性能测量 | 第44页 |
| 2.3.2 薄膜相结构分析 | 第44-45页 |
| 2.3.3 薄膜微结构和缺陷的表征 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 磁控溅射制备AZO透明导电薄膜 | 第47-70页 |
| 3.1 不同靶基距及氩气流速的AZO薄膜 | 第47-60页 |
| 3.1.1 溅射过程中的基本参数 | 第48-49页 |
| 3.1.2 散射几率的变化 | 第49-51页 |
| 3.1.3 薄膜的微结构 | 第51-55页 |
| 3.1.4 薄膜的电学性能 | 第55-57页 |
| 3.1.5 薄膜的光学性能 | 第57-60页 |
| 3.2 不同靶基距的靶前AZO薄膜的性能分析 | 第60-67页 |
| 3.2.1 溅射过程中的基本参数 | 第61-62页 |
| 3.2.2 薄膜的微结构 | 第62-64页 |
| 3.2.3 薄膜的电学性能 | 第64-66页 |
| 3.2.4 薄膜的光学性能 | 第66-67页 |
| 3.3 小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第四章 H共掺杂AZO(HAZO)薄膜的工艺研究 | 第70-90页 |
| 4.1 射频电源关闭时，H共掺杂对薄膜微结构和物理性能的影响 | 第71-76页 |
| 4.1.1 溅射过程中的技术参数 | 第71-72页 |
| 4.1.2 薄膜的微结构 | 第72-74页 |
| 4.1.3 薄膜的电学性能 | 第74-75页 |
| 4.1.4 薄膜的光学性能 | 第75-76页 |
| 4.2 射频电源功率为 2000W时，H共掺杂对薄膜微结构和物理性能的影响 | 第76-87页 |
| 4.2.1 溅射过程中的技术参数 | 第76-78页 |
| 4.2.2 薄膜的微结构 | 第78-81页 |
| 4.2.3 薄膜的电学性能 | 第81-83页 |
| 4.2.4 薄膜的光学性能 | 第83-84页 |
| 4.2.5 薄膜的拉曼光谱 | 第84-87页 |
| 4.3 小结 | 第87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第五章 退火工艺对AZO薄膜缺陷的影响 | 第90-115页 |
| 5.1 晶界吸附物对AZO薄膜微结构和光学性能的影响 | 第90-98页 |
| 5.1.1 样品制备 | 第91页 |
| 5.1.2 薄膜的微观形貌 | 第91-93页 |
| 5.1.3 薄膜的电学性能 | 第93-94页 |
| 5.1.4 薄膜的拉曼光谱 | 第94-95页 |
| 5.1.5 薄膜的电子顺磁图谱 | 第95-96页 |
| 5.1.6 薄膜的光谱分析 | 第96-98页 |
| 5.2 氢气气氛，AZO薄膜中缺陷的热稳定性 | 第98-105页 |
| 5.2.1 样品制备 | 第99页 |
| 5.2.2 薄膜的微观形貌 | 第99-102页 |
| 5.2.3 薄膜的拉曼光谱和电子顺磁谱 | 第102页 |
| 5.2.4 薄膜电阻率随温度变化的分析 | 第102-105页 |
| 5.3 氢气退火靶前不同位置AZO薄膜的结果分析 | 第105-111页 |
| 5.3.1 微结构分析 | 第106页 |
| 5.3.2 AZO薄膜中Al的位置 | 第106-108页 |
| 5.3.3 迁移率空间分布不均的原因 | 第108-111页 |
| 5.4 小结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第六章 总结与展望 | 第115-117页 |
| 6.1 总结 | 第115-116页 |
| 6.2 展望 | 第116-117页 |
| 攻读学位期间完成的学术论文情况 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
