| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 硅锗合金材料特性 | 第10-11页 |
| 1.3 热电材料的基本原理及表征参数 | 第11-17页 |
| 1.3.1 热电材料三大效应 | 第11-15页 |
| 1.3.2 热电材料的表征参数 | 第15-17页 |
| 1.4 温差发电基本原理 | 第17-20页 |
| 1.4.1 基本理论框架 | 第17-19页 |
| 1.4.2 温差单电偶的输出功率和转化效率 | 第19-20页 |
| 1.5 国内外研究现状 | 第20-22页 |
| 1.5.1 国外研究进展 | 第20-21页 |
| 1.5.2 国内研究进展 | 第21-22页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 热电材料的实验方法与测试 | 第24-30页 |
| 2.1 实验原材料 | 第24页 |
| 2.2 实验仪器 | 第24页 |
| 2.3 实验方法 | 第24-26页 |
| 2.3.1 P 型热电半导体合金制备技术路线 | 第25页 |
| 2.3.2 N 型热电半导体合金制备技术路线 | 第25-26页 |
| 2.4 性能的测试及表征方法 | 第26-30页 |
| 2.4.1 电学性能测量 | 第26-28页 |
| 2.4.2 热学性能测量 | 第28-29页 |
| 2.4.3 X 射线分析 | 第29页 |
| 2.4.4 SEM 分析 | 第29-30页 |
| 第3章 纳米复合掺杂制备 P 型热电合金 | 第30-42页 |
| 3.1 Si_(95)Ge_5与 Si_(70)Ge_(30)B_5的熔炼与球磨工艺 | 第30-33页 |
| 3.1.1 熔炼与球磨工艺 | 第30页 |
| 3.1.2 XRD 图谱分析 | 第30-32页 |
| 3.1.3 SEM 分析 | 第32-33页 |
| 3.2 P 型合金热电半导体的制备与性能表征 | 第33-38页 |
| 3.2.1 P 型合金热电半导体的等离子烧结 | 第33页 |
| 3.2.2 P 型热电合金半导体微观结构 | 第33-35页 |
| 3.2.3 P 型热电合金半导体的热电性能测试 | 第35-38页 |
| 3.3 掺杂惰性纳米相后 P 型试样的热电性能 | 第38-41页 |
| 3.3.1 电学性能 | 第38-39页 |
| 3.3.2 热学性能 | 第39-40页 |
| 3.3.3 无量纲热电优值 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 纳米复合掺杂制备 N 型热电合金 | 第42-51页 |
| 4.1 Si_(95)Ge_5与 Si_(70)Ge_(30)P_3的熔炼与球磨工艺 | 第42-45页 |
| 4.1.1 熔炼与球磨工艺 | 第42页 |
| 4.1.2 XRD 图谱分析 | 第42-44页 |
| 4.1.3 SEM 分析 | 第44-45页 |
| 4.2 N 型合金热电半导体的制备与表征及性能测试 | 第45-50页 |
| 4.2.1 N 型合金热电半导体的等离子烧结工艺 | 第45-46页 |
| 4.2.2 N 型热电合金半导体微观结构 | 第46-47页 |
| 4.2.3 N 型热电合金半导体的热电性能测试 | 第47-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 温差发电电单偶的尺寸参数的优化设计 | 第51-59页 |
| 5.1 概述 | 第51-52页 |
| 5.2 ANSYS 有限元分析基本过程 | 第52-53页 |
| 5.2.1 ANSYS 简介 | 第52页 |
| 5.2.2 ANSYS 分析计算过程 | 第52-53页 |
| 5.3 温差电单偶尺寸参数的优化设计 | 第53-58页 |
| 5.3.1 参数化建模及参数指定 | 第53-55页 |
| 5.3.2 仿真结果 | 第55-56页 |
| 5.3.3 基于 ANSYS 的结构参数对温差电单偶性能影响分析 | 第56-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
