| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 主要符号对照表 | 第8-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-35页 |
| 1.1 高温超导材料的发现 | 第9页 |
| 1.2 高温超导涂层导体 | 第9-13页 |
| 1.3 双轴织构的制备工艺 | 第13-15页 |
| 1.4 离子束辅助沉积（IBAD）技术 | 第15-28页 |
| 1.4.1 IBAD的发展历史及现状 | 第16-22页 |
| 1.4.2 IBAD-YSZ的机理及特点 | 第22-25页 |
| 1.4.3 IBAD-MgO的机理及特点 | 第25-28页 |
| 1.5 倾斜衬底沉积（ISD）技术 | 第28-30页 |
| 1.6 磁控溅射中的高能量粒子 | 第30-33页 |
| 1.7 本论文的选题意义和各部分主要内容 | 第33-35页 |
| 第2章 实验方法和分析手段 | 第35-41页 |
| 2.1 物理气相沉积设备 | 第35-37页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜设备 | 第35-36页 |
| 2.1.2 离子束辅助沉积设备 | 第36-37页 |
| 2.2 测试表征方法 | 第37-41页 |
| 2.2.1 晶振片膜厚仪 | 第37页 |
| 2.2.2 台阶仪测量 | 第37-38页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第38页 |
| 2.2.4 X射线衍射技术 | 第38-41页 |
| 第3章 磁控溅射中的反溅射现象研究 | 第41-55页 |
| 3.1 本章引言 | 第41页 |
| 3.2 磁控溅射设备的一些参数 | 第41-42页 |
| 3.3 MgO薄膜沉积过程中的反溅射效应 | 第42-48页 |
| 3.3.1 样品制备和表征 | 第42-43页 |
| 3.3.2 MgO薄膜的厚度分布 | 第43-46页 |
| 3.3.3 高能量粒子的束流分布模型 | 第46-48页 |
| 3.4 沉积速率和溅射气压的关系 | 第48-51页 |
| 3.4.1 实验方法 | 第48页 |
| 3.4.2 沉积速率对溅射气压的依赖关系 | 第48-50页 |
| 3.4.3 反溅射效应对沉积速率变化行为的解释 | 第50-51页 |
| 3.5 高能量粒子对MgO薄膜的影响 | 第51-54页 |
| 3.5.1 样品制备和表征 | 第51页 |
| 3.5.2 （001）YSZ单晶上外延生长的MgO薄膜的织构 | 第51-54页 |
| 3.5.3 关于高能量粒子作用的讨论 | 第54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 新的制备双轴织构MgO薄膜的方法——EPSAD | 第55-71页 |
| 4.1 本章引言 | 第55页 |
| 4.2 EPSAD实验方法设计 | 第55-58页 |
| 4.3 EPSAD-MgO薄膜的织构 | 第58-61页 |
| 4.4 验证MgO薄膜中的织构来源的对比实验 | 第61-63页 |
| 4.5 EPSAD-MgO薄膜中的晶粒取向与高能量粒子入射方向的关系 | 第63-64页 |
| 4.6 EPSAD-MgO薄膜的表面形貌特征 | 第64-67页 |
| 4.7 其他影响EPSAD-MgO薄膜织构的因素 | 第67-68页 |
| 4.8 关于EPSAD-MgO薄膜中双轴织构形成机理的讨论 | 第68-70页 |
| 4.9 本章小结 | 第70-71页 |
| 第5章 IBAD设备的改装和IBAD-MgO的制备 | 第71-80页 |
| 5.1 本章引言 | 第71页 |
| 5.2 IBAD设备的改装 | 第71-73页 |
| 5.2.1 原IBAD设备的特点 | 第71-72页 |
| 5.2.2 IBAD设备的改装 | 第72-73页 |
| 5.3 改装设备的参数调试 | 第73-77页 |
| 5.3.1 非辅助沉积条件下，Mg的沉积速率分布 | 第73-75页 |
| 5.3.2 非辅助沉积条件下，MgO的沉积速率分布 | 第75-76页 |
| 5.3.3 辅助离子束的刻蚀速率 | 第76-77页 |
| 5.4 辅助沉积制备IBAD-MgO薄膜 | 第77-79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 第6章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-91页 |
| 致谢 | 第91-93页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第93页 |
