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高温超导涂层导体中双轴织构缓冲层的制备和研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
主要符号对照表第8-9页
第1章 引言第9-35页
    1.1 高温超导材料的发现第9页
    1.2 高温超导涂层导体第9-13页
    1.3 双轴织构的制备工艺第13-15页
    1.4 离子束辅助沉积(IBAD)技术第15-28页
        1.4.1 IBAD的发展历史及现状第16-22页
        1.4.2 IBAD-YSZ的机理及特点第22-25页
        1.4.3 IBAD-MgO的机理及特点第25-28页
    1.5 倾斜衬底沉积(ISD)技术第28-30页
    1.6 磁控溅射中的高能量粒子第30-33页
    1.7 本论文的选题意义和各部分主要内容第33-35页
第2章 实验方法和分析手段第35-41页
    2.1 物理气相沉积设备第35-37页
        2.1.1 磁控溅射镀膜设备第35-36页
        2.1.2 离子束辅助沉积设备第36-37页
    2.2 测试表征方法第37-41页
        2.2.1 晶振片膜厚仪第37页
        2.2.2 台阶仪测量第37-38页
        2.2.3 原子力显微镜第38页
        2.2.4 X射线衍射技术第38-41页
第3章 磁控溅射中的反溅射现象研究第41-55页
    3.1 本章引言第41页
    3.2 磁控溅射设备的一些参数第41-42页
    3.3 MgO薄膜沉积过程中的反溅射效应第42-48页
        3.3.1 样品制备和表征第42-43页
        3.3.2 MgO薄膜的厚度分布第43-46页
        3.3.3 高能量粒子的束流分布模型第46-48页
    3.4 沉积速率和溅射气压的关系第48-51页
        3.4.1 实验方法第48页
        3.4.2 沉积速率对溅射气压的依赖关系第48-50页
        3.4.3 反溅射效应对沉积速率变化行为的解释第50-51页
    3.5 高能量粒子对MgO薄膜的影响第51-54页
        3.5.1 样品制备和表征第51页
        3.5.2 (001)YSZ单晶上外延生长的MgO薄膜的织构第51-54页
        3.5.3 关于高能量粒子作用的讨论第54页
    3.6 本章小结第54-55页
第4章 新的制备双轴织构MgO薄膜的方法——EPSAD第55-71页
    4.1 本章引言第55页
    4.2 EPSAD实验方法设计第55-58页
    4.3 EPSAD-MgO薄膜的织构第58-61页
    4.4 验证MgO薄膜中的织构来源的对比实验第61-63页
    4.5 EPSAD-MgO薄膜中的晶粒取向与高能量粒子入射方向的关系第63-64页
    4.6 EPSAD-MgO薄膜的表面形貌特征第64-67页
    4.7 其他影响EPSAD-MgO薄膜织构的因素第67-68页
    4.8 关于EPSAD-MgO薄膜中双轴织构形成机理的讨论第68-70页
    4.9 本章小结第70-71页
第5章 IBAD设备的改装和IBAD-MgO的制备第71-80页
    5.1 本章引言第71页
    5.2 IBAD设备的改装第71-73页
        5.2.1 原IBAD设备的特点第71-72页
        5.2.2 IBAD设备的改装第72-73页
    5.3 改装设备的参数调试第73-77页
        5.3.1 非辅助沉积条件下,Mg的沉积速率分布第73-75页
        5.3.2 非辅助沉积条件下,MgO的沉积速率分布第75-76页
        5.3.3 辅助离子束的刻蚀速率第76-77页
    5.4 辅助沉积制备IBAD-MgO薄膜第77-79页
    5.5 本章小结第79-80页
第6章 结论第80-82页
参考文献第82-91页
致谢第91-93页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第93页

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