| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 前言 | 第12-16页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第16-28页 |
| 2.1 分子轨道理论 | 第17-20页 |
| 2.1.1 闭壳层分子的HFR方程 | 第17-18页 |
| 2.1.2 开壳层分子的HFR方程 | 第18-20页 |
| 2.2 密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT) | 第20-21页 |
| 2.3 电子相关问题 | 第21-24页 |
| 2.3.1 电子相关能 | 第22页 |
| 2.3.2 组态相互作用(Configuration interaction,CI) | 第22-23页 |
| 2.3.3 耦合簇方法(Coupled-cluster,CC) | 第23-24页 |
| 2.4 振动频率的计算 | 第24-26页 |
| 2.5 内禀反应坐标理论 | 第26-28页 |
| 第3章 五原子含硅叠碳团簇C_2Si_3~(2-)的理论研究 | 第28-42页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第30-39页 |
| 3.3.1 结构性质 | 第30-33页 |
| 3.3.2 能量 | 第33-34页 |
| 3.3.3 成键特性 | 第34-37页 |
| 3.3.4 基于C_2Si_3~(2-)设计的夹心化合物 | 第37-39页 |
| 3.3.5 研究意义 | 第39页 |
| 3.4 结论 | 第39-42页 |
| 第4章 高周期14族平面四配位化合物的理论研究 | 第42-68页 |
| 4.1 五原子高周期14族平面四配位化合物C_2Si_2X~q(X=C,Si,Ge,Sn,Pb；q=0,±1)理论研究 | 第42-56页 |
| 4.1.1 引言 | 第42-44页 |
| 4.1.2 计算方法 | 第44页 |
| 4.1.3 结果和讨论 | 第44-55页 |
| 4.1.3.1 C_3Si_2~q(q=0,±1)的结构特点 | 第47-50页 |
| 4.1.3.2 C_2Si_2X~q(X=C,Si,Ge,Sn,Pb；q=0,±1)的结构和成键特性 | 第50-51页 |
| 4.1.3.3 研究意义 | 第51-55页 |
| 4.1.4 结论 | 第55-56页 |
| 4.2 五原子高周期14族平面四配位化合物C_2X_2Y~q(X=Ge,Sn,Pb；Y=C,Si,Ge,Sn,Pb；q=0,±1)理论研究 | 第56-68页 |
| 4.2.1 引言 | 第56-57页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第57页 |
| 4.2.3 结果和讨论 | 第57-67页 |
| 4.2.3.1 C_2X_2Y~q(X=Ge,Sn,Pb；Y=C,Si,Ge,Sn,Pb；q=0,±1)的结构和成键特性 | 第60-61页 |
| 4.2.3.2 含有π型配体骨架ptM的构筑规则 | 第61-67页 |
| 4.2.4 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-88页 |
| 作者简介 | 第88-90页 |
| 攻读硕士学位期间发表及完成的论文 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
