| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 注释表 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 压电薄膜MEMS概述 | 第13-18页 |
| 1.2.1 压电效应原理 | 第13-15页 |
| 1.2.2 基于压电原理的MEMS应用概况 | 第15-16页 |
| 1.2.3 MEMS中常用的压电薄膜材料 | 第16-18页 |
| 1.3 PZT基压电薄膜MEMS的研究进展 | 第18-27页 |
| 1.3.1 PZT的晶体结构与基本特性 | 第18-22页 |
| 1.3.2 硅基PZT基压电薄膜MEMS研究进展 | 第22-24页 |
| 1.3.3 外延PZT基压电薄膜MEMS研究进展 | 第24-27页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 PZT基薄膜的制备工艺及性能表征 | 第29-43页 |
| 2.1 薄膜的几种制备方法简介 | 第29-32页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法(PLD) | 第29-30页 |
| 2.1.2 溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第30-31页 |
| 2.1.3 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第31-32页 |
| 2.1.4 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第32页 |
| 2.2 PZT基靶材制备方法 | 第32-35页 |
| 2.2.1 固相烧结法制备PZT基陶瓷靶材 | 第33-34页 |
| 2.2.2 粉体靶材的制备工艺 | 第34-35页 |
| 2.3 射频磁控溅射法制备PZT基薄膜 | 第35-40页 |
| 2.3.1 磁控溅射技术的工作原理 | 第35-37页 |
| 2.3.2 射频磁控溅射法制备薄膜的生长工艺 | 第37-39页 |
| 2.3.3 薄膜电极的制备 | 第39-40页 |
| 2.4 PZT基薄膜的结构与性能表征 | 第40-43页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析 | 第40页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第40页 |
| 2.4.3 扫描探针显微镜分析 | 第40-41页 |
| 2.4.4 介电性能测试 | 第41-42页 |
| 2.4.5 铁电性能测试 | 第42-43页 |
| 第三章 PZT薄膜的外延生长及其结构性能研究 | 第43-58页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 PZT(50/50)靶材分析 | 第43-45页 |
| 3.3 PbO过量百分比对PZT(50/50)薄膜性质的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.1 物相分析 | 第45-46页 |
| 3.3.2 铁电性能测试 | 第46-47页 |
| 3.4 衬底温度对PZT(50/50)薄膜性质的影响 | 第47-50页 |
| 3.4.1 物相分析 | 第48-49页 |
| 3.4.2 表面形貌分析 | 第49-50页 |
| 3.4.3 铁电性能测试 | 第50页 |
| 3.5 衬底材料对PZT(50/50)薄膜性质的影响 | 第50-56页 |
| 3.5.1 物相分析 | 第52-53页 |
| 3.5.2 表面形貌分析 | 第53-54页 |
| 3.5.3 铁电性能测试 | 第54-55页 |
| 3.5.4 压电性能测试 | 第55-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 PZT-PNN固溶掺杂体系薄膜的结构及性能研究 | 第58-68页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 PZT-PNN固溶体系膜的制备 | 第58页 |
| 4.3 PZT-PNN固溶体系薄膜的结构及性能研究 | 第58-66页 |
| 4.3.1 物相分析 | 第58-59页 |
| 4.3.2 表面与断面形貌分析 | 第59-61页 |
| 4.3.3 铁电性能测试 | 第61-62页 |
| 4.3.4 介电性能测试 | 第62-63页 |
| 4.3.5 压电性能测试 | 第63-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-69页 |
| 5.1 本论文的主要结论 | 第68页 |
| 5.2 对未来工作的展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第76页 |
