| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.1.1 纳米材料的分类 | 第12页 |
| 1.1.2 纳米材料的特性 | 第12-13页 |
| 1.2 六方氮化硼(h-BN)二维纳米材料的研究进展 | 第13-23页 |
| 1.2.1 h-BN的基本属性 | 第13-15页 |
| 1.2.2 二维h-BN纳米材料研究进展 | 第15-23页 |
| 1.3 性能与应用 | 第23-26页 |
| 1.3.1 电学性能与应用 | 第23-24页 |
| 1.3.2 光学性能与应用 | 第24页 |
| 1.3.3 热学性能与应用 | 第24-25页 |
| 1.3.4 其他一些应用 | 第25-26页 |
| 1.4 选题背景与研究内容 | 第26-28页 |
| 1.4.1 选题背景 | 第26页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第26-28页 |
| 2 实验材料与研究方法 | 第28-35页 |
| 2.1 实验仪器与实验材料 | 第28-29页 |
| 2.1.1 实验仪器 | 第28-29页 |
| 2.1.2 实验材料 | 第29页 |
| 2.2 表征方法与表征参数 | 第29-31页 |
| 2.2.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第29-30页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第30页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第30页 |
| 2.2.4 光学显微镜(OM) | 第30页 |
| 2.2.5 拉曼光谱仪(Raman) | 第30-31页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第31页 |
| 2.3 实验方法与制备流程 | 第31-35页 |
| 2.3.1 原子级厚度白石墨烯薄膜的生长 | 第31-33页 |
| 2.3.2 h-BN薄膜的转移 | 第33-34页 |
| 2.3.3 异质结的制备 | 第34页 |
| 2.3.4 金电极的制备 | 第34页 |
| 2.3.5 电学、电容性能的测试 | 第34-35页 |
| 3 CVD法制备大面积白石墨烯薄膜 | 第35-45页 |
| 3.1 前言 | 第35-36页 |
| 3.2 样品的基本表征与讨论 | 第36-42页 |
| 3.2.1 铜箔衬底上h-BN薄膜的一种简易观测方法 | 第36-37页 |
| 3.2.2 样品成分与结构分析 | 第37-42页 |
| 3.3 大面积h-BN薄膜的制备 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 CVD热动力学研究与生长参数调控 | 第45-56页 |
| 4.1 APCVD的化学气相传输与生长过程 | 第45-47页 |
| 4.2 铜箔基底位置对生长形貌的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 生长时间对生长形貌的影响 | 第48-50页 |
| 4.4 生长温度对生长形貌的影响 | 第50-52页 |
| 4.5 气体流量对生长形貌的影响 | 第52-53页 |
| 4.6 前驱体加热温度对生长形貌的影响 | 第53-55页 |
| 4.7 本章小结 | 第55-56页 |
| 5 氢气对h-BN薄膜的刻蚀行为研究 | 第56-62页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 不同氢气浓度下的刻蚀行为研究 | 第56-59页 |
| 5.3 氮化硼条带状刻蚀 | 第59-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 6 基于石墨烯-氮化硼材料的纳米电容器电学性能研究 | 第62-70页 |
| 6.1 异质结的制备与基本表征 | 第62-63页 |
| 6.2 异质结的I-V特性测量与分析 | 第63-67页 |
| 6.3 超薄h-BN薄膜纳米电容器 | 第67-69页 |
| 6.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 7 总结与展望 | 第70-73页 |
| 7.1 总结 | 第70-71页 |
| 7.2 主要创新点 | 第71页 |
| 7.3 有待进一步开展的工作 | 第71-72页 |
| 7.4 展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 附录 | 第81页 |
