| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第8-10页 |
| 1.2 分子动力学方法与激光加工简介 | 第10-11页 |
| 1.2.1 分子动力学发展简介 | 第10-11页 |
| 1.2.2 飞秒激光加工技术应用简介 | 第11页 |
| 1.3 分子动力学方法研究激光加工的国内外现状 | 第11-13页 |
| 1.3.1 国外分子动力学方法研究激光加工的发展简介 | 第12页 |
| 1.3.2 国内分子动力学方法研究激光加工的发展简介 | 第12-13页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第2章 飞秒激光与硅的相互作用模型 | 第14-26页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 分子动力学适用范围 | 第14-15页 |
| 2.3 飞秒激光与硅的能量耦合方式 | 第15-16页 |
| 2.3.1 双温模型 | 第15-16页 |
| 2.3.2 传统分子动力学耦合方式 | 第16页 |
| 2.4 势函数的选择及相互作用力的推导 | 第16-22页 |
| 2.4.1 势函数的选择 | 第17-18页 |
| 2.4.2 相互作用力的推导 | 第18-22页 |
| 2.5 元胞索引法和邻近链表法 | 第22-24页 |
| 2.5.1 二体力的计算 | 第22-24页 |
| 2.5.2 三体力的计算 | 第24页 |
| 2.6 无量纲化 | 第24-25页 |
| 2.7 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 分子动力学程序设计 | 第26-33页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 程序流程和程序断电保护 | 第26-27页 |
| 3.3 重要子程序介绍 | 第27-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 硅的平衡态模拟 | 第33-44页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 初始位置排布 | 第33-37页 |
| 4.2.1 Si(100)晶体结构 | 第34-36页 |
| 4.2.2 Si(111)晶体结构 | 第36-37页 |
| 4.3 初始速度分布 | 第37-38页 |
| 4.4 速度算法 | 第38-39页 |
| 4.5 周期性边界条件与最近镜像方法 | 第39-40页 |
| 4.6 模拟系综的选择 | 第40页 |
| 4.7 结果分析与验证 | 第40-43页 |
| 4.8 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 硅的非平衡态模拟 | 第44-53页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 初始条件 | 第44页 |
| 5.3 烧蚀现象 | 第44-45页 |
| 5.4 影响加工现象的因素 | 第45-52页 |
| 5.4.1 模拟材料厚度的选择 | 第46-47页 |
| 5.4.2 线性吸收系数和能量密度对加工现象的影响 | 第47-48页 |
| 5.4.3 加载方式对加工的影响 | 第48-50页 |
| 5.4.4 Si(100)与 Si(111)加工现象对比 | 第50-52页 |
| 5.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
