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掺杂行为对Bi2WO6光电性能的影响及机理研究

摘要第4-9页
ABSTRACT第9-12页
第一章 绪论第17-34页
    1.1 引言第17页
    1.2 半导体光催化技术概述第17-19页
        1.2.1 半导体光催化原理第17-18页
        1.2.2 影响半导体光催化性能的因素第18-19页
    1.3 Bi_2WO_6可见光催化材料的研究进展第19-24页
        1.3.1 纳米Bi_2WO_6光催化剂的水热合成第20-22页
        1.3.2 纳米Bi_2WO_6光催化剂的溶剂热合成第22页
        1.3.3 Bi_2WO_6复合可见光催化剂第22-23页
        1.3.4 离子掺杂Bi_2WO_6的研究进展第23-24页
    1.4 Bi_2WO_6的密度泛函理论(DFT)基础第24-32页
        1.4.1 密度泛函理论(DFT)简介第24-25页
        1.4.2 Born-Oppenheimer近似与Hartree-Fock近似第25-27页
        1.4.3 密度泛函理论第27-30页
        1.4.4 能带计算方法简介第30-32页
    1.5 本论文研究的选题背景和研究内容第32-34页
        1.5.1 本论文研究的选题背景第32页
        1.5.2 本论文的研究内容第32-34页
第二章 具有氧空位的钨自掺杂Bi_xWO_6光催化材料第34-54页
    2.1 引言第34页
    2.2 本征Bi_2WO_6的DFT理论计算第34-37页
        2.2.1 Bi_2WO_6的几何结构第35页
        2.2.2 Bi_2WO_6的能带结构和态密度第35-37页
    2.3 具有氧空位Bi_2WO_(6-y)的DFT理论计算第37-42页
        2.3.1 Bi_2WO_6-y的氧空位缺陷形成能第38页
        2.3.2 氧空位缺陷态Bi_2WO_(6-y)的化学键长、布居分析第38-41页
        2.3.3 氧空位缺陷态Bi_2WO_(6-y)的电子结构分析第41-42页
    2.4 具有氧空位缺陷的Bi_xWO_6(1.81≤x≤2.01)的实验研究第42-53页
        2.4.1 实验中所用到的主要化学试剂第42页
        2.4.2 Bi_xWO_6(1.81≤x≤2.01)光催化材料的合成第42-43页
        2.4.3 样品表征手段第43-45页
        2.4.4 Bi_xWO_6(1.8≤x≤2.01)的相组成第45-47页
        2.4.5 Bi_xWO_6(1.8≤x≤2.01)的显微结构第47-49页
        2.4.6 BET比表面积和孔径分布第49页
        2.4.7 紫外-可见光吸收谱和光催化性能第49-51页
        2.4.8 氧空位对光催化活性的作用第51-53页
    2.5 本章小结第53-54页
第三章 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料第54-66页
    3.1 引言第54页
    3.2 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6的DFT计算第54-57页
        3.2.1 缺陷形成能第54页
        3.2.2 化学键长、布居分析第54-56页
        3.2.3 电子结构第56-57页
    3.3 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6的实验研究第57-65页
        3.3.1 实验中所用到的主要化学试剂第57页
        3.3.2 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料的合成第57-58页
        3.3.3 样品表征手段第58页
        3.3.4 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6的相组成第58-59页
        3.3.5 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6显微结构分析第59-60页
        3.3.6 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6比表面积分析第60-61页
        3.3.7 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6拉曼光谱分析第61页
        3.3.8 Mg~(2+)针掺杂Bi_2WO_6可见光催化性能第61页
        3.3.9 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6紫外-可见吸收光谱分析第61-62页
        3.3.10 Mg~(2+)掺杂Bi_2WO_6荧光光谱分析第62-65页
    3.4 本章小结第65-66页
第四章 Co~(2+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料的研究第66-79页
    4.1 引言第66页
    4.2 Co~(2+)掺杂Bi_2WO_6的DFT计算第66-68页
        4.2.1 缺陷形成能第66页
        4.2.2 化学键长、布居分析第66-68页
        4.2.3 电子结构第68页
    4.3 Co~(2+)掺杂Bi_2WO_6的实验研究第68-78页
        4.3.1 实验中所用到的主要化学试剂第68-69页
        4.3.2 Co~(2+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料的合成第69页
        4.3.3 样品表征手段第69页
        4.3.4 Co~(2+)掺杂Bi_2WO_6的相组成第69-72页
        4.3.5 Co~(2+)掺杂Bi_2WO_6的显微结构第72-74页
        4.3.6 Co~(2+)掺杂Bi_2WO_6的光催化性能第74-77页
        4.3.7 Co~(2+)掺杂Bi_2WO_6光催化性能改善机理第77-78页
    4.4 本章小结第78-79页
第五章 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料第79-90页
    5.1 引言第79页
    5.2 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6的DFT计算第79-82页
        5.2.1 缺陷形成能第79页
        5.2.2 化学键长、布居分析第79-80页
        5.2.3 电子结构第80-82页
    5.3 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6的实验研究第82-89页
        5.3.1 实验中所用到的主要化学试剂第82页
        5.3.2 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料的合成第82页
        5.3.3 样品表征手段第82页
        5.3.4 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6的相组成第82-84页
        5.3.5 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6的显微结构第84-85页
        5.3.6 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6的比表面积分析第85-86页
        5.3.7 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6的荧光光谱分析第86-87页
        5.3.8 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6的紫外-可见吸收光谱分析第87-88页
        5.3.9 In~(3+)掺杂Bi_2WO_6的可见光催化性能第88-89页
    5.4 本章小结第89-90页
第六章 Sn~(2+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料第90-99页
    6.1 引言第90页
    6.2 Sn~(2+)掺杂Bi_2WO_6的DFT计算第90-93页
        6.2.1 缺陷形成能第90页
        6.2.2 化学键长、布居分析第90-92页
        6.2.3 电子结构第92-93页
    6.3 Sn~(2+)掺杂Bi_2WO_6的实验研究第93-98页
        6.3.1 实验中所用到的主要化学试剂第93页
        6.3.2 Sn~(2+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料的合成第93页
        6.3.3 样品表征手段第93页
        6.3.4 Sn~(2+)掺杂Bi_2WO_6的相组成第93-95页
        6.3.5 Sn~(2+)掺杂Bi_2WO_6的显微结构第95-96页
        6.3.6 Sn~(2+)掺杂Bi_2WO_6的荧光光谱分析第96-97页
        6.3.7 Sn~(2+)掺杂Bi_2WO_6的紫外-可见吸收光谱第97-98页
        6.3.8 Sn~(2+)掺杂Bi_2WO_6的可见光催化性能第98页
    6.4 本章小结第98-99页
第七章 稀土离子Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料第99-109页
    7.1 引言第99页
    7.2 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6的DFT计算第99-102页
        7.2.1 缺陷形成能第99页
        7.2.2 化学键长、布居分析第99-101页
        7.2.3 电子结构第101-102页
    7.3 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6的实验研究第102-108页
        7.3.1 实验中所用到的主要化学试剂第102页
        7.3.2 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6光催化材料的合成第102-103页
        7.3.3 样品表征手段第103页
        7.3.4 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6的相组成第103页
        7.3.5 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6的显微结构第103-104页
        7.3.6 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6的紫外-可见吸收光谱第104-105页
        7.3.7 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6的XPS第105-106页
        7.3.8 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6的荧光光谱第106-107页
        7.3.9 Er~(3+)摻杂Bi_2WO_6的光催化性能第107-108页
    7.4 本章小节第108-109页
第八章 Bi_2WO_6掺杂及光电性能研究第109-128页
    8.1 引言第109页
    8.2 Bi_2WO_6的Bi位掺杂电子结构及光催化性质研究第109-113页
        8.2.1 缺陷形成能第109页
        8.2.2 化学键长、布居分析第109-112页
        8.2.3 电子结构第112-113页
    8.3 Bi_2WO_6的O位掺杂的电子结构及光催化性质研究第113-118页
        8.3.1 缺陷形成能第114-115页
        8.3.2 化学键长、布居分析第115-116页
        8.3.3 电子结构第116-118页
    8.4 Bi_2WO_6的W位掺杂电子结构及光催化性质研究第118-124页
        8.4.1 缺陷形成能第119页
        8.4.2 化学键长、布居分析第119-122页
        8.4.3 电子结构第122-124页
    8.5 Bi_2WO_6掺杂形成O空位的电子结构及光催化性质研究第124-127页
        8.5.1 Bi_2WO_6的缺陷形成能第125-126页
        8.5.2 O空位缺陷态Na掺杂Bi_2WO_6的电子结构分析第126-127页
    8.6 本章小结第127-128页
第九章 金属离子掺杂Bi_(2.1-x)M_xWO_6薄膜的制备及其湿敏性能研究第128-141页
    9.1 引言第128页
    9.2 溶胶凝胶法制备Bi_2WO_6薄膜第128-133页
        9.2.1 实验中所用到的主要化学试剂第128页
        9.2.2 Bi_2WO_6薄膜的制备第128-129页
        9.2.3 样品表征手段第129页
        9.2.4 前驱体pH值对薄膜的影响第129-131页
        9.2.5 热处理温度对薄膜形貌的影响第131-133页
    9.3 Co~(2+)掺杂Bi_(2.1)WO_6薄膜的研究第133-136页
        9.3.1 实验中所用到的主要化学试剂第133页
        9.3.2 Co~(2+)摻杂Bi_(2.1)WO_6薄膜的制备第133页
        9.3.3 样品表征手段第133页
        9.3.4 Co~(2+)掺杂Bi_(2.1)WO_6薄膜的化学组成和显微形貌第133-136页
        9.3.5 Co~(2+)掺杂对Bi_(2.1)WO_6薄膜带隙的影响第136页
    9.4 Co~(2+)掺杂Bi_(2.1)WO_6薄膜的湿敏性能第136-140页
    9.5 本章小结第140-141页
第十章 Bi_2O_3/Bi_2WO_6复相材料的研究第141-149页
    10.1 引言第141页
    10.2 Bi_2O_3/Bi_2WO_6复相材料的合成第141页
        10.2.1 实验中所用到的主要化学试剂第141页
        10.2.2 Co~(2+)掺杂Bi_(2.1)WO_6薄膜的制备第141页
        10.2.3 样品表征手段第141页
    10.3 结果与讨论第141-148页
    10.4 本章小结第148-149页
第十一章 结论与展望第149-152页
    11.1 结论第149-151页
    11.2 展望第151-152页
参考文献第152-157页
致谢第157-158页
博士期间发表的文章第158页

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