| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·薄膜体声波谐振器的原理与结构 | 第9-11页 |
| ·体声波谐振器对压电材料性能的要求 | 第11-12页 |
| ·BST 的晶体结构、性能及用途 | 第12-15页 |
| ·BST 的晶体结构与性能 | 第12-14页 |
| ·BST 的主要用途 | 第14-15页 |
| ·薄膜体声波谐振器的国内外研究概况 | 第15-16页 |
| ·体声波谐振器的研究进展 | 第15-16页 |
| ·BST 薄膜可调谐体声波谐振器的研究进展 | 第16页 |
| ·本论文研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 BST 薄膜的制备和表征方法 | 第18-23页 |
| ·BST 薄膜的制备方法 | 第18页 |
| ·BST 薄膜微观结构表征方法 | 第18-21页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第18-19页 |
| ·原子力显微镜 | 第19-20页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第20-21页 |
| ·电性能测试 | 第21-23页 |
| ·介电性能测试 | 第21-22页 |
| ·压电性测试 | 第22页 |
| ·BST 薄膜体声波谐振器的谐振频率测试 | 第22-23页 |
| 第三章 BST 薄膜的制备及其性能研究 | 第23-46页 |
| ·BST 靶材的制备 | 第23-27页 |
| ·BST 靶材的掺杂 | 第23页 |
| ·靶材的制备工艺 | 第23-26页 |
| ·靶材的分析 | 第26-27页 |
| ·BST 薄膜的制备及工艺优化 | 第27-37页 |
| ·基片温度对薄膜的影响 | 第27-30页 |
| ·溅射功率对薄膜的影响 | 第30-32页 |
| ·溅射总气压对薄膜的影响 | 第32-33页 |
| ·溅射气氛中氧氩比对薄膜的影响 | 第33-34页 |
| ·溅射时间对薄膜的影响 | 第34-35页 |
| ·后退火对薄膜性能的影响 | 第35-37页 |
| ·BST 薄膜的氧等离子体处理 | 第37-44页 |
| ·处理时间对BST 薄膜的影响 | 第37-40页 |
| ·处理功率对BST 薄膜的影响 | 第40-42页 |
| ·处理压强对BST 薄膜的影响 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 BST 薄膜可调谐体声波谐振器的设计和加工 | 第46-60页 |
| ·BST 体声波谐振器的设计 | 第46-51页 |
| ·体声波谐振器的模型 | 第46-49页 |
| ·体声波谐振器的结构设计 | 第49-50页 |
| ·体声波谐振器的加工工艺流程 | 第50-51页 |
| ·体声波谐振器的加工工艺研究 | 第51-57页 |
| ·图形微细加工工艺流程 | 第51-53页 |
| ·电极的剥离工艺 | 第53页 |
| ·BST 薄膜的腐蚀工艺 | 第53-54页 |
| ·硅基片的腐蚀工艺研究 | 第54-57页 |
| ·体声波谐振器的性能分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |