| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 半导体存储器 | 第10页 |
| 1.3 相变存储器 | 第10-15页 |
| 1.3.1 相变机理 | 第10-11页 |
| 1.3.2 相变材料主要性能指标 | 第11页 |
| 1.3.3 相变材料及其分类 | 第11-13页 |
| 1.3.4 Ge_2Sb_2Te_5 | 第13页 |
| 1.3.5 Si_XSb_2Te_3 | 第13-15页 |
| 1.4 国内外研究进展 | 第15-20页 |
| 1.4.1 对相变机理的研究 | 第15-16页 |
| 1.4.2 相变材料新组分的探究 | 第16-20页 |
| 1.4.3 其他诱发相变条件的研究 | 第20页 |
| 1.5 本文的研究目的和研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 第一性原理 | 第22-28页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第22-25页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第22页 |
| 2.1.2 Hartee-Fock 近似 | 第22-23页 |
| 2.1.3 密度泛函理论 | 第23-25页 |
| 2.2 分子动力学模拟简介 | 第25-28页 |
| 第三章 硅锑碲相变材料非晶稳定性机理的第一性原理研究 | 第28-43页 |
| 3.1 背景介绍 | 第28页 |
| 3.2 建模方法 | 第28-29页 |
| 3.3 界面模型合理性验证 | 第29-33页 |
| 3.3.1 均方位移函数 | 第29-30页 |
| 3.3.2 晶化过程模拟 | 第30-32页 |
| 3.3.3 界面结构和非界面结构自由能对比 | 第32-33页 |
| 3.4 非晶原子结构表征 | 第33-38页 |
| 3.4.1 键角和配位数分布 | 第33-36页 |
| 3.4.2 Local Order Parameter | 第36-38页 |
| 3.4.3 本节小结 | 第38页 |
| 3.5 非晶界面结构的电子结构 | 第38-41页 |
| 3.5.1 Bader 布居分析 | 第38-39页 |
| 3.5.2 电子局域函数分布 | 第39页 |
| 3.5.3 本节小结 | 第39-41页 |
| 3.6 不同界面取向的影响 | 第41-42页 |
| 3.7 本章总结 | 第42-43页 |
| 第四章 GeSb, Sb_2Te, Sb_2Te_3相变特性的第一性原理研究 | 第43-56页 |
| 4.1 背景介绍 | 第43-44页 |
| 4.2 起始模型的选择和液相温度的探究 | 第44-48页 |
| 4.3 Sb_2Te 和 Sb_2Te_3非晶相和晶相的性质 | 第48-53页 |
| 4.3.1 非晶成键结构分析 | 第48-50页 |
| 4.3.2 晶化过程及晶相结构 | 第50-53页 |
| 4.4 GeSb 相变材料非晶结构及性质的分子动力学研究 | 第53-55页 |
| 4.5 本章总结 | 第55-56页 |
| 总结及展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 作者简介及攻读硕士期间研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
