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氮化铝基复合纳米材料的制备及其场发射性能研究

创新之处第5-6页
中文摘要第6-8页
ABSTRACT第8-10页
第一章 绪论第11-44页
    1.1 场致发射的介绍第12-16页
        1.1.1 电子发射第12-13页
        1.1.2 场发射理论第13-14页
        1.1.3 半导体的场致发射第14-15页
        1.1.4 场发射的基本概念第15-16页
    1.2 场发射冷阴极材料的发展历史第16-18页
    1.3 一维复合纳米场发射材料的研究进展第18-32页
        1.3.1 核壳复合纳米材料第18-25页
        1.3.2 纳米粒子修饰形成的一维复合纳米材料第25-30页
        1.3.3 异质结型复合纳米材料第30-32页
    1.4 氮化铝一维纳米材料的研究进展第32-37页
        1.4.1 氮化铝的性质第32页
        1.4.2 氮化铝一维纳米材料在场发射中的应用第32-37页
    1.5 本论文的研究思路第37-38页
    参考文献第38-44页
第二章 CsI-AlN复合纳米材料的制备及场发射性能研究第44-58页
    2.1 概述第44-45页
    2.2 实验过程与表征方法第45-46页
        2.2.1 AlN纳米锥阵列的制备第45页
        2.2.2 CsI-AlN复合材料的制备第45页
        2.2.3 表征第45-46页
    2.3 结果与讨论第46-55页
    2.4 本章小结第55页
    参考文献第55-58页
第三章 AlN基核壳纳米锥的制备及场发射性能研究第58-73页
    3.1 概述第58-59页
    3.2 实验过程与表征方法第59-60页
        3.2.1 AlN纳米锥阵列的制备第59页
        3.2.2 AlN基核壳纳米锥的制备第59-60页
        3.2.3 表征第60页
    3.3 结果与讨论第60-69页
    3.4 本章小结第69页
    参考文献第69-73页
第四章 ZnO-CN_x-AlN纳米异质结构的制备及场发射性能研究第73-85页
    4.1 概述第73-74页
    4.2 实验过程与表征方法第74-75页
        4.2.1 ZnO纳米棒阵列的制备第74页
        4.2.2 ZnO-CN_x纳米复合结构的制备第74页
        4.2.3 ZnO-CN_x-AlN纳米复合结构的制备第74-75页
        4.2.4 表征第75页
    4.3 结果与讨论第75-81页
    4.4 本章小结第81-82页
    参考文献第82-85页
展望第85-86页
攻博期间概况第86-88页
致谢第88-89页

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