| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 太阳能电池的发展概况 | 第9-10页 |
| 1.2 a-Si:H的发展与现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 a-Si:H薄膜的历史发展 | 第11-13页 |
| 1.2.2 a-Si:H薄膜的研究现状 | 第13页 |
| 1.3 a-Si:H薄膜的基本理论 | 第13-19页 |
| 1.3.1 a-Si:H薄膜的结构特点 | 第13-16页 |
| 1.3.2 a-Si:H的生长机制 | 第16-18页 |
| 1.3.4 a-Si:H的主要应用领域 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的研究目的及内容 | 第19-20页 |
| 第2章 氢化非晶硅制备系统与测试手段 | 第20-36页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 a-Si:H制备方法与MWECR CVD | 第20-25页 |
| 2.2.1 氢化非晶硅的传统制备方法 | 第20-22页 |
| 2.2.2 MWECR CVD制备a-Si:H | 第22-25页 |
| 2.3 a-Si:H的微结构测试分析 | 第25-34页 |
| 2.3.1 傅立叶红外光谱技术 | 第27-31页 |
| 2.3.2 紫外与可见光光谱技术 | 第31-33页 |
| 2.3.3 喇曼散射光谱技术 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 热丝辅助MWECR CVD制备的氢化非晶硅薄膜 | 第36-47页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 实验室制备a-Si:H | 第36-40页 |
| 3.2.1 实验室制备系统 | 第36-38页 |
| 3.2.2 a-Si:H制备材料与测试仪器 | 第38-40页 |
| 3.3 a-Si:H薄膜制备实验与分析 | 第40-45页 |
| 3.3.1 a-Si:H薄膜制备 | 第40页 |
| 3.3.2 a-Si:H薄膜制备分析 | 第40-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 a-Si:H中氢含量及键合方式的红外分析 | 第47-58页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 a-Si:H中的含氢量 | 第47-54页 |
| 4.2.1 红外吸收强度 | 第48-49页 |
| 4.2.2 FTIR透过谱到吸收系数谱的转换 | 第49-53页 |
| 4.2.3 红外吸收谱的高斯拟合 | 第53页 |
| 4.2.4 氢含量与摇摆模式 | 第53页 |
| 4.2.5 氢含量与伸缩模式 | 第53-54页 |
| 4.3 热丝温度对氢含量的影响 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 a-Si:H薄膜的喇曼分析与光学带隙 | 第58-73页 |
| 5.1 引言 | 第58-59页 |
| 5.1.1 a-Si:H的喇曼分析 | 第58页 |
| 5.1.2 a-Si:H的光学带隙 | 第58-59页 |
| 5.2 Raman散射的基本原理 | 第59-62页 |
| 5.2.1 Raman散射的经典解释 | 第59-61页 |
| 5.2.2 非晶硅的Raman散射 | 第61-62页 |
| 5.3 a-Si:H的喇曼测试 | 第62-66页 |
| 5.3.1 衬底温度与喇曼分析 | 第62-64页 |
| 5.3.2 a-Si:H的退火与喇曼分析 | 第64-66页 |
| 5.4 a-Si:H的光学带隙 | 第66-68页 |
| 5.4.1 a-Si:H的吸收边 | 第66-67页 |
| 5.4.2 a-Si:H的光学带隙 | 第67-68页 |
| 5.5 a-Si:H薄膜的光学带隙测试 | 第68-72页 |
| 5.5.1 a-Si:H光学带隙测试实验 | 第69-70页 |
| 5.5.2 a-Si:H光学带隙与热丝温度 | 第70-72页 |
| 5.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 结 论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 硕士生期间发表论文情况 | 第80-81页 |
| 致 谢 | 第81页 |