| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 符号说明 | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| 1.1 无机膜的概述 | 第13-15页 |
| 1.1.1 无机膜的发展 | 第13页 |
| 1.1.2 无机膜的分类及特点 | 第13-15页 |
| 1.1.3 无机膜的应用 | 第15页 |
| 1.2 沸石分子筛膜的概述 | 第15-21页 |
| 1.2.1 分子筛膜的合成方法 | 第16-18页 |
| 1.2.2 分子筛膜的形成机理 | 第18-19页 |
| 1.2.3 分子筛膜的改性 | 第19页 |
| 1.2.4 MFI型分子筛的结构及特点 | 第19-20页 |
| 1.2.5 沸石分子筛膜的应用 | 第20-21页 |
| 1.3 沸石分子筛膜的渗透蒸发技术的概述 | 第21-24页 |
| 1.3.1 渗透蒸发的应用 | 第21-22页 |
| 1.3.2 有机物脱水 | 第22页 |
| 1.3.3 水中分离有机物 | 第22-23页 |
| 1.3.4 有机物/有机物分离 | 第23-24页 |
| 1.4 本课题的研究意义及内容 | 第24-27页 |
| 1.4.1 本课题的研究意义 | 第24页 |
| 1.4.2 本课题的研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 实验过程 | 第27-35页 |
| 2.1 实验药品及仪器设备 | 第27页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第27页 |
| 2.1.2 实验所用气体 | 第27页 |
| 2.1.3 实验仪器设备 | 第27页 |
| 2.2 氧化铝载体的制备 | 第27-28页 |
| 2.3 原位水热法合成Ge-ZSM-5分子筛膜 | 第28-30页 |
| 2.4 分子筛膜的表征与测试 | 第30-35页 |
| 2.4.1 物理性能表征 | 第30-31页 |
| 2.4.2 渗透蒸发性能检测 | 第31-33页 |
| 2.4.3 渗透蒸发性能评价指标 | 第33-34页 |
| 2.4.4 渗透蒸发主要工艺参数的确定 | 第34-35页 |
| 第三章 原位水热合成法制备Ge-ZSM-5分子筛膜及其渗透蒸发性能研究 | 第35-49页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 氧化铝载体的表征 | 第36-37页 |
| 3.3 Ge-ZSM-5膜的亲水机理研究 | 第37-39页 |
| 3.4 模板剂用量对Ge-ZSM-5膜的影响 | 第39-42页 |
| 3.4.1 不同模板剂用量的Ge-ZSM-5分子筛膜SEM照片 | 第39-40页 |
| 3.4.2 不同模板剂用量的Ge-ZSM-5分子筛膜XRD谱图 | 第40-41页 |
| 3.4.3 不同模板剂用量的Ge-ZSM-5分子筛膜EDX表征 | 第41-42页 |
| 3.5 晶化温度对Ge-ZSM-5膜的影响 | 第42-44页 |
| 3.5.1 不同晶化温度Ge-ZSM-5分子筛膜SEM照片 | 第42-43页 |
| 3.5.2 不同晶化温度Ge-ZSM-5分子筛膜XRD谱图 | 第43-44页 |
| 3.5.3 不同晶化温度Ge-ZSM-5分子筛膜EDX表征 | 第44页 |
| 3.6 Ge-ZSM-5分子筛膜的渗透蒸发实验 | 第44-46页 |
| 3.6.1 Ge-ZSM-5分子筛膜完备性测试 | 第44-45页 |
| 3.6.2 渗透蒸发实验 | 第45-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 过渡层γ-Al_2O_3膜的制备及表征 | 第49-55页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 实验原料及仪器设备 | 第49-50页 |
| 4.2.1 实验原料 | 第49-50页 |
| 4.2.2 仪器及设备 | 第50页 |
| 4.3 氧化铝载体的制备 | 第50页 |
| 4.4 过渡层γ-Al_2O_3膜的制备步骤 | 第50-51页 |
| 4.5 过渡层γ-Al_2O_3膜的表征 | 第51-54页 |
| 4.5.1 γ-Al_2O_3膜的SEM照片 | 第51-53页 |
| 4.5.2 γ-Al_2O_3膜的XRD谱图 | 第53页 |
| 4.5.3 γ-Al_2O_3粉末的XRD谱图 | 第53-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 过渡层载体上合成Ge-ZSM-5膜及其渗透蒸发性能研究 | 第55-63页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 模板剂用量对Ge-ZSM-5膜的影响 | 第55-58页 |
| 5.2.1 不同模板剂用量Ge-ZSM-5分子筛膜SEM照片 | 第55-57页 |
| 5.2.2 不同模板剂用量Ge-ZSM-5分子筛膜XRD谱图 | 第57页 |
| 5.2.3 不同模板剂用量Ge-ZSM-5分子筛膜EDX表征 | 第57-58页 |
| 5.3 晶化温度对Ge-ZSM-5膜的影响 | 第58-61页 |
| 5.3.1 不同晶化温度Ge-ZSM-5分子筛膜SEM照片 | 第58-59页 |
| 5.3.2 不同晶化温度Ge-ZSM-5分子筛膜XRD谱图 | 第59-60页 |
| 5.3.3 不同晶化温度Ge-ZSM-5分子筛膜EDX表征 | 第60-61页 |
| 5.4 Ge-ZSM-5分子筛膜的渗透蒸发实验 | 第61页 |
| 5.4.1 Ge-ZSM-5分子筛膜完备性测试 | 第61页 |
| 5.4.2 渗透蒸发实验 | 第61页 |
| 5.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第六章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 结论 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 附录 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第77页 |
