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基于SiC MOSFET的微弧氧化脉冲电源研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 绪论第9-24页
    1.1 研究目的和意义第9-11页
    1.2 输出整流二极管寄生振荡抑制的研究现状第11-13页
    1.3 桥臂电路中SiC MOSFET串扰效应抑制的研究现状第13-16页
    1.4 变换器脉冲负载适应性的研究现状第16-22页
        1.4.1 提高前级变换器动态响应速度的拓扑结构第16-19页
        1.4.2 提高前级变换器动态响应速度的控制策略第19-22页
    1.5 主要研究内容第22-24页
第2章 全桥软开关变换器副边寄生振荡的分析与抑制第24-39页
    2.1 主电路拓扑及变换器软开关分析第24-26页
    2.2 输出整流二极管寄生振荡抑制分析第26-31页
        2.2.1 抑制过程中的阶段 1第27-29页
        2.2.2 抑制过程中的阶段 2第29-31页
    2.3 关键参数的影响及设计原则第31-38页
        2.3.1 考虑原边环流的超前臂ZVS设计原则第31-32页
        2.3.2 滞后臂ZCS的实现条件第32-34页
        2.3.3 箝位管导通时间的影响及设计原则第34-35页
        2.3.4 箝位电容大小的影响及设计原则第35-38页
    2.4 本章小结第38-39页
第3章 桥臂电路SiC MOSFET串扰效应的分析与抑制第39-48页
    3.1 桥臂电路中的串扰效应第39-40页
    3.2 所采用拓扑中桥臂串扰效应分析第40-45页
        3.2.1 超前臂串扰效应分析第40-42页
        3.2.2 滞后臂串扰效应解析第42-45页
    3.3 可抑制串扰效应的SiC MOSFET驱动电路设计第45-47页
    3.4 本章小结第47-48页
第4章 改善前级变换器脉冲负载适应性的措施第48-57页
    4.1 前级变换器的脉冲负载适应性第48-49页
    4.2 改进主电路拓扑结构解决满载-空载切换中的问题第49-51页
        4.2.1 主电路拓扑结构的改进第49-50页
        4.2.2 针对PI算法滞后效应的改进第50页
        4.2.3 仿真验证第50-51页
    4.3 采用二阶PWM滑模电压型控制策略解决空载-满载切换中的问题第51-56页
        4.3.1 二阶PWM SMVC基本原理第51-54页
        4.3.2 二阶PWM SMVC控制器设计第54-55页
        4.3.3 仿真验证第55-56页
    4.4 本章小结第56-57页
第5章 系统实现及实验分析验证第57-75页
    5.1 系统主电路参数与器件选型第57-58页
    5.2 软开关及副边寄生振荡抑制的实验验证第58-61页
        5.2.1 变换器软开关的实验验证第58-59页
        5.2.2 变换器副边寄生振荡抑制的实验验证第59-61页
    5.3 桥臂串扰效应抑制的实验验证第61-69页
        5.3.1 有源米勒箝位对桥臂串扰效应的抑制作用第61-63页
        5.3.2 桥臂电压变化对桥臂串扰效应的影响第63-66页
        5.3.3 负载电流变化对桥臂串扰效应的影响第66-69页
    5.4 改善前级变换器脉冲负载适应性的实验验证第69-73页
        5.4.1 改进主电路拓扑结构的实验验证第69-72页
        5.4.2 采用二阶PWM SMVC的实验验证第72-73页
    5.5 本章小结第73-75页
结论第75-76页
参考文献第76-81页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第81-83页
致谢第83页

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