| 致谢 | 第5-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第16-46页 |
| 1.1 空间辐射环境 | 第18-26页 |
| 1.1.1 银河宇宙射线 | 第19-21页 |
| 1.1.2 太阳粒子事件 | 第21-22页 |
| 1.1.3 范艾伦辐射带 | 第22-26页 |
| 1.2 单粒子效应 | 第26-37页 |
| 1.2.1 软错误 | 第26-31页 |
| 1.2.2 硬错误 | 第31-37页 |
| 1.3 微电子技术发展 | 第37-40页 |
| 1.4 单粒子效应研究方法 | 第40-41页 |
| 1.5 国内外研究现状 | 第41-44页 |
| 1.5.1 国外研究现状 | 第41-43页 |
| 1.5.2 国内研究现状 | 第43-44页 |
| 1.5.3 存在的问题 | 第44页 |
| 1.6 小结 | 第44-46页 |
| 第二章 单粒子效应实验条件 | 第46-56页 |
| 2.1 兰州重离子加速器 | 第46-48页 |
| 2.2 单粒子效应实验终端 | 第48-50页 |
| 2.3 待测器件 | 第50-53页 |
| 2.4 单粒子效应检测系统 | 第53-55页 |
| 2.5 小结 | 第55-56页 |
| 第三章 重离子LET对电路级加固SOI/SRAM器件的单粒子翻转敏感性研究 | 第56-68页 |
| 3.1 实验所使用的器件 | 第57-58页 |
| 3.2 实验步骤 | 第58-59页 |
| 3.3 实验结果和分析 | 第59-63页 |
| 3.3.1 比较ADE/SRAM和6T/SRAM的单粒子翻转敏感性 | 第59-61页 |
| 3.3.2 0→1和1→0的SEU敏感性 | 第61-63页 |
| 3.4 分析讨论 | 第63-67页 |
| 3.4.1 单粒子翻转的动态过程 | 第63-64页 |
| 3.4.2 0→1和1→0翻转的分析 | 第64-67页 |
| 3.5 小结 | 第67-68页 |
| 第四章 重离子能量对系统级加固Bulk/SRAM器件的多位翻转特性研究 | 第68-84页 |
| 4.1 基本概念 | 第69-70页 |
| 4.2 实验参数 | 第70-72页 |
| 4.2.1 实验离子参数 | 第70页 |
| 4.2.2 实验器件 | 第70-71页 |
| 4.2.3 测试过程和实验方法 | 第71-72页 |
| 4.3 实验结果 | 第72-80页 |
| 4.3.1 2M和4M器件的实验结果 | 第72-74页 |
| 4.3.2 不同数据模式对于错误截面的影响 | 第74-75页 |
| 4.3.3 不同入射角度对于错误截面的影响 | 第75-76页 |
| 4.3.4 FMBU的概率统计 | 第76页 |
| 4.3.5 2M器件的FMBU数据特性 | 第76-80页 |
| 4.4 分析讨论 | 第80-82页 |
| 4.4.1 引起FMBU的原因 | 第80-81页 |
| 4.4.2 对于数据特性的解释 | 第81-82页 |
| 4.5 小结 | 第82-84页 |
| 第五章 重离子射程对微纳级SOI/SRAM器件单粒子翻转截面的影响 | 第84-104页 |
| 5.1 实验装置与器件 | 第86-87页 |
| 5.2 实验结果 | 第87-101页 |
| 5.3 分析讨论 | 第101-103页 |
| 5.4 小结 | 第103-104页 |
| 第六章 结论与展望 | 第104-107页 |
| 6.1 结论 | 第104-106页 |
| 6.2 下一步工作计划 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-118页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与科研成果 | 第118-119页 |
