高可靠表面贴装玻封小电流肖特基二极管制造技术研究
| 摘要 | 第10-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-17页 |
| 1.1 研究背景和研究意义 | 第13-14页 |
| 1.2 研究现状和发展趋势 | 第14-16页 |
| 1.3 主要内容和论文结构 | 第16-17页 |
| 第二章 肖特基二极管的结构和工作原理 | 第17-21页 |
| 2.1 肖特基二极管的基本结构 | 第17-19页 |
| 2.2 肖特基二极管的工作原理 | 第19-21页 |
| 第三章 性能参数及可靠性设计 | 第21-35页 |
| 3.1 高可靠肖特基二极管的性能参数要求 | 第21-25页 |
| 3.2 纵向参数的设计 | 第25-30页 |
| 3.2.1 衬底和外延层的设计 | 第26-27页 |
| 3.2.2 金属硅化物—硅接触势垒的设计 | 第27-28页 |
| 3.2.3 参数的设计 | 第28-30页 |
| 3.3 横向参数的设计 | 第30-32页 |
| 3.4 可靠性设计 | 第32-35页 |
| 3.4.1 金属硅化物—硅接触势垒的设计 | 第32-33页 |
| 3.4.2 保护环结构的设计 | 第33页 |
| 3.4.3 多层金属化系统的设计 | 第33-34页 |
| 3.4.4 封装可靠性设计 | 第34-35页 |
| 第四章 工艺设计及实现 | 第35-53页 |
| 4.1 核心工艺技术设计及实现 | 第35-42页 |
| 4.1.1 芯片制造工艺技术研究 | 第35-37页 |
| 4.1.2 冶金键合技术研究 | 第37-42页 |
| 4.2 工艺流程设计 | 第42页 |
| 4.3 芯片制造工艺设计 | 第42-44页 |
| 4.3.1 一次氧化工艺条件设计 | 第42页 |
| 4.3.2 光刻工艺条件设计 | 第42-43页 |
| 4.3.3 硼预扩散工艺条件设计 | 第43页 |
| 4.3.4 硼主扩散工艺条件设计 | 第43页 |
| 4.3.5 正面蒸发工艺条件设计 | 第43-44页 |
| 4.3.6 退火工艺条件设计 | 第44页 |
| 4.3.7 镀银工艺条件设计 | 第44页 |
| 4.3.8 磨片工艺条件设计 | 第44页 |
| 4.3.9 背面蒸发工艺条件设计 | 第44页 |
| 4.3.10 合金工艺条件设计 | 第44页 |
| 4.4 封装工艺设计 | 第44-45页 |
| 4.4.1 测划分片工艺条件设计 | 第44-45页 |
| 4.4.2 封装工艺条件设计 | 第45页 |
| 4.4.3 浸锡工艺条件设计 | 第45页 |
| 4.4.4 打印工艺条件设计 | 第45页 |
| 4.5 产品实现 | 第45-53页 |
| 4.5.1 电参数测试 | 第45-52页 |
| 4.5.2 可靠性试验情况 | 第52页 |
| 4.5.3 产品试用情况 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-59页 |
| 5.1 总结 | 第53-57页 |
| 5.1.1 技术性能方面 | 第53-54页 |
| 5.1.2 新工艺设计 | 第54页 |
| 5.1.3 新的结构设计 | 第54-55页 |
| 5.1.4 新材料设计 | 第55页 |
| 5.1.5 可靠性设计 | 第55-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第62页 |
