光电耦合器件在空间辐射环境下的性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题来源与背景 | 第8-9页 |
| 1.2 光耦的发展及应用 | 第9-10页 |
| 1.2.1 光耦的发展历程 | 第9页 |
| 1.2.2 光电耦合器的空间应用 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第10-15页 |
| 1.3.1 国外研究进展 | 第10-14页 |
| 1.3.2 国内研究进展 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的主要内容 | 第15-16页 |
| 第2章 空间环境及光耦工作原理 | 第16-33页 |
| 2.1 空间辐射环境介绍 | 第16-21页 |
| 2.1.1 空间环境种类 | 第16-18页 |
| 2.1.2 辐射效应种类 | 第18-21页 |
| 2.2 光电耦合器工作原理 | 第21-32页 |
| 2.2.1 LED 的工作机理 | 第21-26页 |
| 2.2.2 光电三极管的工作机理 | 第26-31页 |
| 2.2.3 光耦的工作原理 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 光电耦合器辐射损伤理论研究 | 第33-44页 |
| 3.1 光耦器件空间辐射效应 | 第33-35页 |
| 3.1.1 位移效应 | 第33-34页 |
| 3.1.2 电离效应 | 第34-35页 |
| 3.2 光电耦合器的位移效应损伤理论研究 | 第35-39页 |
| 3.2.1 LED 的位移损伤函数 | 第35-36页 |
| 3.2.2 光电三极管的位移损伤函数 | 第36-38页 |
| 3.2.3 光电耦合器的位移损伤模型 | 第38-39页 |
| 3.3 光电耦合器的电离效应损伤理论研究 | 第39-43页 |
| 3.3.1 LED 的电离损伤函数 | 第39-40页 |
| 3.3.2 光电三极管的电离损伤函数 | 第40-42页 |
| 3.3.3 光电耦合器的电离损伤模型 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 光电耦合器辐射损伤的实验研究 | 第44-62页 |
| 4.1 实验方案 | 第44-50页 |
| 4.1.1 实验条件 | 第44-46页 |
| 4.1.2 器件参量测试原理及本底测试 | 第46-50页 |
| 4.2 位移效应的中子辐照实验验证 | 第50-53页 |
| 4.2.1 LED 的中子辐照结果及分析 | 第50-51页 |
| 4.2.2 光电三极管的中子辐照结果及分析 | 第51-52页 |
| 4.2.3 光电耦合器中子辐照结果及分析 | 第52-53页 |
| 4.3 电离效应的γ辐照实验验证 | 第53-59页 |
| 4.3.1 LED 的γ辐射结果及分析 | 第53-56页 |
| 4.3.2 光电三极管γ辐射结果及分析 | 第56-58页 |
| 4.3.3 光电耦合器的γ辐射结果及分析 | 第58-59页 |
| 4.4 辐射损伤的防护措施及方法 | 第59-61页 |
| 4.4.1 防护设计方面的考虑 | 第59-60页 |
| 4.4.2 防护加固措施方面的考虑 | 第60-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
