| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 有机光伏器件介绍 | 第11-15页 |
| 1.2.1 器件发展历史介绍 | 第11-12页 |
| 1.2.2 原理及界面能级介绍 | 第12-14页 |
| 1.2.3 有机光伏电池性能参数表征 | 第14-15页 |
| 1.3 光电子能谱技术介绍 | 第15-17页 |
| 1.3.1 光电子能谱发展历史 | 第15-16页 |
| 1.3.2 峰宽 | 第16页 |
| 1.3.3 峰位 | 第16-17页 |
| 1.3.4 峰强 | 第17页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第17-18页 |
| 1.5 参考文献 | 第18-19页 |
| 第二章 相关理论与实验技术介绍 | 第19-33页 |
| 2.1 相关理论介绍 | 第19-26页 |
| 2.1.1 界面能级排列 | 第19-23页 |
| 2.1.2 界面电子结构 | 第23-25页 |
| 2.1.3 界面分子结构 | 第25-26页 |
| 2.2 实验相关仪器设备 | 第26-28页 |
| 2.2.1 紫外光电子能谱和X射线光电子能谱 | 第26-28页 |
| 2.3 样品的制备过程和测量 | 第28-30页 |
| 2.3.1 钙钛矿材料制备过程 | 第28页 |
| 2.3.2 有机薄膜的制备 | 第28-29页 |
| 2.3.3 材料的表征 | 第29页 |
| 2.3.4 界面能级与电子结构表证 | 第29-30页 |
| 2.4 参考文献 | 第30-33页 |
| 第三章 基于钙钛矿电池的有机/无机杂化界面研究和电荷分离机制研究 | 第33-56页 |
| 3.1 引言 | 第33-35页 |
| 3.2 钙钛矿薄膜CH_3NH_3PbIBr_2退火研究 | 第35-38页 |
| 3.3 CH_3NH_3PbIBr_2/HTMs界面能级排列和电子结构 | 第38-48页 |
| 3.3.1 CH3NH3PbIBr2/NPB，CH_3NH_3Pb IBr_2/spiro-OMeTAD界面 | 第38-43页 |
| 3.3.2 CH_3NH_3PbIBr_2/F_(16)CuPc界面 | 第43-45页 |
| 3.3.3 CH_3NH_3PbIBr_2/HATCN和CH_3NH_3PbIBr_2/MoO_3界面 | 第45-48页 |
| 3.4 CH_3NH_3PbIBr_2/HTMs界面能级排列和电荷分离机制分析 | 第48-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 3.6 参考文献 | 第52-56页 |
| 第四章 基底效应对有机光伏器件中界面能级调控和电荷分离机制的影响 | 第56-73页 |
| 4.1 引言 | 第56-57页 |
| 4.2 基于非极性分子F16CuPc的基底效应和界面电荷分离机制研究 | 第57-65页 |
| 4.2.1 基底效应对F_(16)CuPc材料的能级调控 | 第57-60页 |
| 4.2.2 基底效应对界面能级排列和电荷分离机制的影响 | 第60-63页 |
| 4.2.3 F_(16)CuPc在不同基底上的分子取向 | 第63-65页 |
| 4.3 极性分子TiOPc | 第65-70页 |
| 4.3.1 基底效应和能带弯曲对TiOPc界面能级的调控 | 第65-67页 |
| 4.3.2 基底效应对TiOPc/C60界面能级排列和电荷分离机制的影响 | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 4.5 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 碱金属材料的掺杂对电荷传输性能的影响 | 第73-86页 |
| 5.1 引言 | 第73-74页 |
| 5.2 碱金属材料的掺杂对能级的调控 | 第74-80页 |
| 5.2.1 CsN_3:Bphen,Cs_2CO_3:Bphen,CsF:Bphen的UPS研究 | 第74-76页 |
| 5.2.2 CsN_3:Bphen,Cs_2CO_3:Bphen,CsF:Bphen的XPS研究 | 第76-78页 |
| 5.2.3 CsN_3:Bphen,Cs_2CO_3:Bphen,CsF:Bphen掺杂的能级分析 | 第78-80页 |
| 5.3 碱金属材料的掺杂对电子传输特性的影响 | 第80-83页 |
| 5.4 本章小结 | 第83页 |
| 5.5 参考文献 | 第83-86页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第86-88页 |
| 6.1 全文总结 | 第86-87页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第87-88页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
