| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体激光器的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 808nm半导体激光器的研究意义 | 第10-12页 |
| 1.3 808nm无铝GaAsP量子阱大功率半导体激光器的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第14-17页 |
| 第2章 量子阱大功率半导体激光器的工作原理 | 第17-27页 |
| 2.1 量子阱半导体激光器的工作原理 | 第17-21页 |
| 2.1.1 粒子数反转分布 | 第17-18页 |
| 2.1.2 谐振腔 | 第18-20页 |
| 2.1.3 光增益大于损耗 | 第20-21页 |
| 2.2 大功率半导体激光器的评估参数 | 第21-24页 |
| 2.2.1 阈值电流密度 | 第21-22页 |
| 2.2.2 输出功率与工作效率 | 第22-24页 |
| 2.2.3 光束质量 | 第24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-27页 |
| 第3章 808nm GaAsP量子阱大功率半导体激光器器件工艺 | 第27-41页 |
| 3.1 大功率半导体激光器的工艺介绍 | 第27-34页 |
| 3.1.1 光刻 | 第28-32页 |
| 3.1.2 湿法腐蚀 | 第32页 |
| 3.1.3 等离子体增强化学气相沉积（PECVD） | 第32-33页 |
| 3.1.4 溅射 | 第33-34页 |
| 3.2 808nm大功率半导体激光器制备工艺 | 第34-37页 |
| 3.3 808nm大功率半导体激光器的封装 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 808nm量子阱半导体激光器量子阱结构设计 | 第41-49页 |
| 4.1 实折射率波导结构的分析模型 | 第41-43页 |
| 4.2 波导层的优化设计 | 第43-46页 |
| 4.2.1 低阈值电流密度的优化设计 | 第43-45页 |
| 4.2.2 低垂直方向远场发散角的优化设计 | 第45-46页 |
| 4.3 限制层的优化设计 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 808nm大功率半导体激光器制备与测试 | 第49-61页 |
| 5.1 808nm量子阱半导体激光器量子阱结构 | 第49-51页 |
| 5.2 808nm含铝量子阱大功率半导体激光器的结构与性能优化 | 第51-54页 |
| 5.2.1 InAlGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光器的性能优化 | 第51-53页 |
| 5.2.2 InAlGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光器的结构 | 第53-54页 |
| 5.3 808nm无铝量子阱大功率半导体激光器的结构与性能优化 | 第54-56页 |
| 5.3.1 GaAsP/AlGaAs量子阱半导体激光器的性能优化 | 第54-55页 |
| 5.3.2 GaAsP/AlGaAs量子阱半导体激光器的结构 | 第55-56页 |
| 5.4 器件测试结果分析 | 第56-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
