摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-31页 |
1.1 光催化材料的独特结构和优良特性 | 第10-11页 |
1.1.1 钨酸铋的结构与特性 | 第10页 |
1.1.2 石墨烯的结构和特性 | 第10-11页 |
1.2 钨酸铋的制备方法 | 第11-15页 |
1.2.1 水热法或溶剂热法 | 第11-12页 |
1.2.2 分子自组装法 | 第12-13页 |
1.2.3 固态反应法 | 第13页 |
1.2.4 静电纺丝法 | 第13页 |
1.2.5 低温燃烧法 | 第13-14页 |
1.2.6 溶胶-凝胶法 | 第14-15页 |
1.2.7 微乳液法 | 第15页 |
1.2.8 其它方法 | 第15页 |
1.3 钨酸铋的改性方法 | 第15-24页 |
1.3.1 负载改性 | 第16-17页 |
1.3.2 金属沉积 | 第17-18页 |
1.3.3 离子掺杂 | 第18-23页 |
1.3.4 半导体复合改性 | 第23页 |
1.3.5 共掺杂 | 第23-24页 |
1.4 改性钨酸铋的光催化机理 | 第24-27页 |
1.4.1 石墨烯负载型光催化机理 | 第24-25页 |
1.4.2 金属沉积型光催化机理 | 第25-26页 |
1.4.3 掺杂型光催化机理 | 第26页 |
1.4.4 复合型光催化机理 | 第26-27页 |
1.5 光催化材料的应用前景 | 第27-29页 |
1.5.1 光降解室内废气的应用 | 第27-28页 |
1.5.2 光降解废水的应用 | 第28页 |
1.5.3 能源方面的应用 | 第28-29页 |
1.5.4 其它方面的应用 | 第29页 |
1.6 本论文研究工作及意义 | 第29-31页 |
第二章 实验部分 | 第31-39页 |
2.1 实验试剂及仪器 | 第31-32页 |
2.1.1 实验试剂 | 第31-32页 |
2.1.2 实验仪器 | 第32页 |
2.2 催化剂的制备方法 | 第32-33页 |
2.2.1 氧化石墨的制备方法 | 第32-33页 |
2.2.2 Bi_2WO_6、GO/BWO和rGO/BWO的制备方法 | 第33页 |
2.3 常用材料测试表征方法 | 第33-36页 |
2.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第33-34页 |
2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第34-35页 |
2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第35页 |
2.3.4 紫外-可见漫反射光谱分析(UV-vis DRS) | 第35页 |
2.3.5 红外光谱分析(FT-IR) | 第35-36页 |
2.3.6 拉曼光谱分析(Raman) | 第36页 |
2.4 光催化性能测试 | 第36-39页 |
2.4.1 实验装置 | 第36-37页 |
2.4.2 测试方法 | 第37-39页 |
第三章 氧化石墨烯的制备影响因素研究 | 第39-49页 |
3.1 原材料的影响 | 第39-42页 |
3.2 高温(98℃)反应时间的影响 | 第42-44页 |
3.3 高锰酸钾添加速度的影响 | 第44-46页 |
3.4 中温法与改进Hummers法比较 | 第46-47页 |
3.5 本章小结 | 第47-49页 |
第四章 中性条件下制备的改性钨酸铋催化剂的表征 | 第49-57页 |
4.1 改性钨酸铋的表征 | 第49-51页 |
4.2 不同GO添加量的GO/BWO表征 | 第51-53页 |
4.3 不同GO添加量rGO/BWO的表征 | 第53-55页 |
4.4 不同GO添加量还原前后比较 | 第55-56页 |
4.5 本章小结 | 第56-57页 |
第五章 酸性条件下制备的改性钨酸铋催化剂的表征 | 第57-66页 |
5.1 改性钨酸铋的表征 | 第57-59页 |
5.2 不同GO添加量GO/BWO的表征 | 第59-61页 |
5.3 不同GO添加量rGO/BWO的表征 | 第61-62页 |
5.4 不同GO添加量还原前后比较 | 第62-64页 |
5.5 改性钨酸铋的SEM图 | 第64-65页 |
5.6 本章小结 | 第65-66页 |
第六章 光催化降解气相甲醛的研究 | 第66-70页 |
6.1 中性条件下制得的催化剂的活性测试 | 第66-67页 |
6.2 酸性条件下制得的催化剂的活性测试 | 第67-69页 |
6.3 不同催化剂催化效果比较 | 第69页 |
6.4 本章小结 | 第69-70页 |
第七章 结论与展望 | 第70-72页 |
7.1 结论 | 第70页 |
7.2 展望 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-83页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第83-84页 |
致谢 | 第84-85页 |