| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第16-38页 |
| 1.1 HgCdTe红外探测器材料技术概论 | 第16-21页 |
| 1.2 高性能HgCdTe外延材料的制备 | 第21-26页 |
| 1.2.1 高少子寿命材料 | 第21-22页 |
| 1.2.2 低缺陷密度材料 | 第22-23页 |
| 1.2.3 大面积高均匀性材料 | 第23-24页 |
| 1.2.4 异质结构材料 | 第24-26页 |
| 1.3 HgCdTe材料p型掺杂技术的发展 | 第26-35页 |
| 1.3.1 Hg空位掺杂技术 | 第26-27页 |
| 1.3.2 Au掺杂技术 | 第27-33页 |
| 1.3.3 As掺杂技术 | 第33-35页 |
| 1.4 本研究工作的目的和内容 | 第35-38页 |
| 第二章 大面积Au掺杂HgCdTe材料的生长和性能表征 | 第38-56页 |
| 2.1 富Te液相外延材料的制备 | 第38-41页 |
| 2.2 50 mm × 50 mm富Te液相外延材料制备技术 | 第41-43页 |
| 2.3 Au原子的掺杂 | 第43-45页 |
| 2.3.1 原位掺杂技术 | 第43页 |
| 2.3.2 Au原子的分凝系数 | 第43-45页 |
| 2.4 50 mm × 50 mm HgCdTe材料性能的综合评价 | 第45-51页 |
| 2.4.1 HgCdTe材料的组分和厚度 | 第45-48页 |
| 2.4.2 HgCdTe材料的位错密度 | 第48-50页 |
| 2.4.3 HgCdTe材料的晶格完整性和均匀性 | 第50-51页 |
| 2.4.4 HgCdTe材料的电学参数 | 第51页 |
| 2.5 50mm×50mm富Te液相外延材料制备关键技术的研究 | 第51-54页 |
| 2.6 50mm×50mm HgCdTe液相外延技术的应用成果 | 第54-55页 |
| 2.7 本章小结 | 第55-56页 |
| 第三章 Au掺杂HgCdTe材料中的Au原子迁移特性研究 | 第56-74页 |
| 3.1 HgCdTe材料中Au原子浓度分布的表征 | 第56-58页 |
| 3.1.1 SIMS技术 | 第56-58页 |
| 3.1.2 原生材料中Au原子浓度的分布 | 第58页 |
| 3.2 Au掺杂原子浓度分布与热处理条件的关系 | 第58-63页 |
| 3.2.1 富Hg退火条件下Au原子浓度的分布 | 第59-61页 |
| 3.2.2 富Te退火条件下Au原子浓度的分布 | 第61-62页 |
| 3.2.3 复合退火条件下Au原子浓度的分布 | 第62-63页 |
| 3.3 Au原子的迁移特性 | 第63-68页 |
| 3.4 离子注入对Au原子分布的影响分析 | 第68-71页 |
| 3.4.1 离子注入 | 第68-69页 |
| 3.4.2 离子注入对Au原子分布的影响 | 第69-71页 |
| 3.5 本章小结 | 第71-74页 |
| 第四章 Au掺杂HgCdTe材料的电学性能研究 | 第74-86页 |
| 4.1 Au掺杂HgCdTe材料电学性能的基本特性 | 第74-76页 |
| 4.2 Au掺杂均匀材料Hall参数的测量和分析 | 第76-79页 |
| 4.3 Au掺杂非均匀材料Hall参数的测量和分析 | 第79-81页 |
| 4.4 Au掺杂均匀材料Hall参数的工艺稳定性 | 第81-83页 |
| 4.4.1 Au掺杂均匀材料中Au原子的激活率分析 | 第82页 |
| 4.4.2 Au掺杂均匀材料Hall参数的统计 | 第82-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-86页 |
| 第五章 HgCdTe材料缺陷控制技术研究 | 第86-118页 |
| 5.1 cross-hatch形貌及其特征 | 第87-104页 |
| 5.1.1 X射线形貌术原理 | 第87-88页 |
| 5.1.2 cross-hatch形貌的基本特性 | 第88-92页 |
| 5.1.3 cross-hatch形貌特性与晶格失配的关系 | 第92-100页 |
| 5.1.4 cross-hatch形貌产生机理的进一步分析 | 第100-104页 |
| 5.1.5 cross-hatch形貌研究的意义 | 第104页 |
| 5.2 表面粗糙结构及其特征 | 第104-115页 |
| 5.2.1 表面粗糙结构的特征 | 第105-107页 |
| 5.2.2 产生表面粗糙结构的主要原因 | 第107-114页 |
| 5.2.3 引起表面粗糙结构产生的其他因素 | 第114-115页 |
| 5.3 缺陷研究对实际生产的指导意义 | 第115-116页 |
| 5.4 本章小结 | 第116-118页 |
| 第六章 Au掺杂HgCdTe材料的器件结果及分析 | 第118-128页 |
| 6.1 器件结构及制备工艺 | 第118-119页 |
| 6.2 器件性能的测量及分析依据 | 第119-123页 |
| 6.2.1 器件性能的测量 | 第120页 |
| 6.2.2 器件的暗电流机制 | 第120-123页 |
| 6.3 Au掺杂器件的R0A结果及分析 | 第123-127页 |
| 6.4 本章小结 | 第127-128页 |
| 第七章 总结与展望 | 第128-132页 |
| 7.1 全文总结 | 第128-130页 |
| 7.2 本课题展望 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-140页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第140页 |
