| 论文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 导论 | 第10-18页 |
| ·LD 泵浦全固态激光器 | 第10-13页 |
| ·发展历史和现状 | 第10-11页 |
| ·LD 泵浦固体激光器的特性和泵浦方式 | 第11-13页 |
| ·LD 泵浦的双波长固体激光器 | 第13-14页 |
| ·半导体材料实现LD 泵浦固体激光器的被动调Q | 第14-16页 |
| ·论文研究内容和主要创新点 | 第16-18页 |
| 第二章 纳米Ge | 第18-31页 |
| ·Nd:YVO_4 晶体的特性 | 第18-21页 |
| ·纳米Ge/SiO_2 薄膜的制备和测试 | 第21-26页 |
| ·射频磁控反应溅射的基本原理 | 第21-23页 |
| ·纳米Ge/SiO_2 薄膜制备过程及工艺参数 | 第23页 |
| ·纳米Ge/SiO_2 薄膜特性测试 | 第23-26页 |
| ·LD 泵浦Nd:YVO_4 1342nm 激光器连续运转 | 第26-27页 |
| ·实验装置 | 第26页 |
| ·实验结果 | 第26-27页 |
| ·纳米Ge/SiO_2 薄膜实现1342nm 激光被动调Q | 第27-30页 |
| ·实验结果 | 第27-29页 |
| ·纳米Ge/SiO_2 薄膜调Q 机理分析 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第三章 LD 泵浦 Nd:YVO_41064nm/1342nm 激光器的 理论分析 | 第31-38页 |
| ·谐振腔的设计和参数选择 | 第32-34页 |
| ·双波长调Q 速率方程及求解 | 第34-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 纳米 Si/SiN_x薄膜实现 1064nm/1342nm 双波长激光 被动调 Q | 第38-46页 |
| ·纳米Si/SiN_x 超晶格薄膜制备和测试 | 第38-40页 |
| ·薄膜制备 | 第38页 |
| ·薄膜测试 | 第38-40页 |
| ·LD 泵浦Nd:YVO_4 106411m/1342nm 双波长激光连续运 | 第40-43页 |
| ·实验装置 | 第40-41页 |
| ·实验结果与分析 | 第41-43页 |
| ·纳米Si/SiN_x 薄膜实现1064nm/1342nm 双波长激光调 | 第43-45页 |
| ·实验结果 | 第43-44页 |
| ·双波长调Q 的机理分析 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 总结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 附录 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
