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样品温度对激光诱导等离子体膨胀动力学的影响

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-22页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 激光诱导击穿光谱技术简介第11-14页
    1.3 LIBS技术的研究历史与现状第14-17页
    1.4 影响LIBS技术发展的主要因素第17-19页
    1.5 本论文研究内容及意义第19-20页
    1.6 论文框架结构简介第20-22页
第二章 激光诱导击穿光谱技术理论基础第22-36页
    2.1 激光的烧蚀及等离子体的形成过程第22-26页
    2.2 激光诱导等离子体谱线辐射第26-28页
    2.3 超短激光与半导体材料的相互作用第28-29页
    2.4 LIBS谱线展宽机制第29-32页
    2.5 等离子体的物理参数第32-36页
第三章 样品温度对LIBS谱线强度影响的研究第36-72页
    3.1 实验装置第36-39页
    3.2 锗单晶片的LIBS实验第39-44页
    3.3 物理机制第44-49页
    3.4 硅单晶片的LIBS讨论第49-57页
    3.5 等离子体动力学参数的研究第57-70页
    3.6 结论第70-72页
第四章 等离子体膨胀动力学影响的研究第72-92页
    4.1 实验装置第72-78页
    4.2 物理机制第78-88页
    4.3 烧蚀陨坑的预测第88-89页
    4.4 结论第89-92页
第五章 谱线的拟合第92-104页
    5.1 谱线的识别与选择第92-94页
    5.2 LIBS谱线的拟合和线形恢复第94-99页
    5.3 光谱信噪比第99-104页
第六章 结论与展望第104-108页
    6.1 全文总结第104-105页
    6.2 展望第105-108页
参考文献第108-120页
攻读博士期间取得的成果第120-122页
致谢第122-123页

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