| 摘要 | 第10-13页 |
| ABSTRACT | 第13-15页 |
| 符号说明 | 第16-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-31页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 纳电子学的发展及其应用 | 第18-20页 |
| 1.3 低维纳米材料的研究进展 | 第20-25页 |
| 1.3.1 石墨烯的电子结构与基本性质 | 第21-24页 |
| 1.3.2 硅烯及硅烯纳米带介绍 | 第24-25页 |
| 1.4 自旋电子学在低维纳米材料中的应用与前景 | 第25页 |
| 1.5 本文研究内容概述 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第二章 密度泛函理论与非平衡格林函数方法 | 第31-43页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第31-36页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第31-32页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第32-33页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第33-34页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第34-36页 |
| 2.2 量子输运中的非平衡格林函数方法 | 第36-39页 |
| 2.2.1 Landauer-Buttiker公式 | 第36页 |
| 2.2.2 格林函数理论 | 第36-39页 |
| 2.3 两电极体系电子输运性质的计算方法 | 第39-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第三章 不同边缘氢化下硅烯异质结的自旋输运性质研究 | 第43-59页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 模型和理论方法 | 第44-46页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第46-53页 |
| 3.3.1 异质结H_1-6ZSiNR-H_1/H_0-6ZSiNR-H_0的自旋输运性质 | 第46-51页 |
| 3.3.2 异质结H_1-6ZSiNR-H_1/H_2-6ZSiNR-H_2的自旋输运性质 | 第51-53页 |
| 3.3.3 异质结体系的整流现象分析 | 第53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 第四章 锯齿形硅烯纳米带中自旋输运性质的调控 | 第59-73页 |
| 4.1 引言 | 第59-60页 |
| 4.2 模型和理论方法 | 第60-62页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第62-67页 |
| 4.3.1 电流-电压特性曲线和整流比 | 第62-63页 |
| 4.3.2 正负偏压下的透射谱与能带结构分析 | 第63-66页 |
| 4.3.3 负微分电阻效应 | 第66-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 第五章 不同金属电极下二芳基乙烯分子器件的电输运性质研究 | 第73-85页 |
| 5.1 引言 | 第73-74页 |
| 5.2 模型和理论方法 | 第74-76页 |
| 5.3 计算结果和分析 | 第76-81页 |
| 5.3.1 零偏压下的透射谱与MPSH分析 | 第76-79页 |
| 5.3.2 有限偏压下的电流-电压特性曲线分析 | 第79-80页 |
| 5.3.3 几个典型偏压下的透射谱及PDOS分析 | 第80-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 第六章 总结和展望 | 第85-89页 |
| 6.1 总结 | 第85-86页 |
| 6.2 展望 | 第86-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文目录 | 第91-92页 |
| 攻读博士学位期间所获奖励及参与课题 | 第92-93页 |
| 附录: 英文论文 | 第93-111页 |
| 附件 | 第111页 |
