摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-61页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 "11"相铁基超导体的研究进展 | 第12-47页 |
1.2.1 FeSe的基本物性及压应力下的研究进展 | 第14-35页 |
1.2.2 Fe_(1+y)Te的基本物性及压应力效应的研究进展 | 第35-47页 |
1.3 半导体过渡金属二硫化物的研究进展 | 第47-60页 |
1.3.1 MX_2的晶体结构和物理性质 | 第47-48页 |
1.3.2 高压下MX_2的研究进展 | 第48-60页 |
1.4 本论文的选题背景,研究目的和意义 | 第60-61页 |
第二章 FeSe薄单晶超导电性的压应力效应研究 | 第61-69页 |
2.1 引言 | 第61-62页 |
2.2 材料制备和研究方法 | 第62页 |
2.3 结果及讨论 | 第62-68页 |
2.4 本章小结 | 第68-69页 |
第三章 FeTe中Te位Sb替代效应研究 | 第69-77页 |
3.1 引言 | 第69-70页 |
3.2 材料制备和研究方法 | 第70页 |
3.3 结果及讨论 | 第70-76页 |
3.4 本章小结 | 第76-77页 |
第四章 WSe_2中压力诱导的等结构相变和金属化 | 第77-89页 |
4.1 引言 | 第77-78页 |
4.2 材料制备和研究方法 | 第78-80页 |
4.2.1 单晶生长和表征 | 第78页 |
4.2.2 高压实验方法 | 第78-80页 |
4.3 结果及讨论 | 第80-86页 |
4.4 本章小结 | 第86-89页 |
第五章 总结与展望 | 第89-91页 |
参考文献 | 第91-99页 |
致谢 | 第99-101页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第101-102页 |