阵列天线特征电流快速分析方法
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第7-8页 |
| 1.2 研究历史和现状 | 第8-10页 |
| 1.3 论文内容的结构安排 | 第10-11页 |
| 2 阵列天线单元特征模式的提取方法 | 第11-24页 |
| 2.1 引言 | 第11页 |
| 2.2 平面微带阵列单元特征模式的提取方法 | 第11-18页 |
| 2.2.1 混合位积分方程 | 第11-14页 |
| 2.2.2 基于混合位积分方程的特征模式提取 | 第14-18页 |
| 2.3 共形微带阵列单元特征模式的提取方法 | 第18-23页 |
| 2.3.1 体面积分方程 | 第18-21页 |
| 2.3.2 基于体面积分方程的特征模式提取 | 第21-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 平面微带反射阵天线的特征电流分析方法 | 第24-45页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 平面微带反射阵工作原理 | 第24-27页 |
| 3.2.1 补偿相位计算方法 | 第24-26页 |
| 3.2.2 理想高斯馈源的表达式 | 第26-27页 |
| 3.3 平面微带反射阵天线的快速分析方法 | 第27-35页 |
| 3.3.1 基于混合位积分方程的特征电流展开方法 | 第27-29页 |
| 3.3.2 主模的重复利用 | 第29-32页 |
| 3.3.3 远场计算 | 第32-33页 |
| 3.3.4 数值算例分析 | 第33-35页 |
| 3.4 降阶阻抗矩阵元素插值填充技术 | 第35-44页 |
| 3.4.1 降阶阻抗矩阵元素的变化规律 | 第36-39页 |
| 3.4.2 高阶插值技术 | 第39-40页 |
| 3.4.3 数值算例分析 | 第40-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 共形微带相控阵天线的特征电流分析方法 | 第45-72页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 共形微带相控阵天线的基本原理 | 第45-48页 |
| 4.2.1 坐标变换 | 第45-48页 |
| 4.2.2 共形相控阵方向图计算 | 第48页 |
| 4.3 相控阵天线单元的特征电流分析方法 | 第48-59页 |
| 4.3.1 基于体面积分方程的特征电流展开方法 | 第48-52页 |
| 4.3.2 改进的特征电流方法 | 第52-55页 |
| 4.3.3 数值算例分析 | 第55-59页 |
| 4.4 共形微带相控阵天线的快速分析方法 | 第59-70页 |
| 4.4.1 特征电流降阶方法 | 第59-60页 |
| 4.4.2 重复结构阻抗矩阵的快速填充技术 | 第60-62页 |
| 4.4.3 快速多极子在特征电流方法中的应用 | 第62-64页 |
| 4.4.4 数值算例分析 | 第64-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 5 总结与展望 | 第72-73页 |
| 5.1 全文内容的总结 | 第72页 |
| 5.2 研究工作展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 附录 | 第78页 |
