| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-47页 |
| 1.1 金属有机框架材料简介 | 第10-12页 |
| 1.2 金属有机框架材料的电学性质 | 第12-18页 |
| 1.2.1 聚合物中的电荷输运理论 | 第13-17页 |
| 1.2.2 金属有机框架的电荷输运模型 | 第17-18页 |
| 1.3 金属有机框架材料电阻的调控 | 第18-24页 |
| 1.4 柔性电子学及其面临的挑战 | 第24-36页 |
| 1.4.1 电阻式阻变储存器（ReRAM） | 第25-32页 |
| 1.4.2 压阻开关 | 第32-36页 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 | 第36-38页 |
| 1.6 参考文献 | 第38-47页 |
| 第二章 单晶MOFs材料RSMOF-1 电致阻变效应及铁电性的研究 | 第47-72页 |
| 2.1 引言 | 第47-48页 |
| 2.2 RSMOF-1 的合成及表征 | 第48-52页 |
| 2.2.1 RSMOF-1 单晶的合成 | 第48-49页 |
| 2.2.2 RSMOF-1 晶体结构的表征 | 第49-51页 |
| 2.2.3 阻变器件RSMOF-1/Pt的制备 | 第51-52页 |
| 2.3 RSMOF-1 性能的表征 | 第52-63页 |
| 2.3.1 RSMOF-1 的电致阻变效应 | 第52-56页 |
| 2.3.2 RSMOF-1 的铁电性表征 | 第56-59页 |
| 2.3.3 RSMOF-1 中水分子对其性能的影响 | 第59-63页 |
| 2.3.3.1 RSMOF-1 中客体水分子丢失与温度的关系 | 第59-61页 |
| 2.3.3.2 RSMOF-1 中客体水分子对铁电性以及阻变性能的影响 | 第61-63页 |
| 2.4 第一性原理计算及机理探讨 | 第63-66页 |
| 2.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 2.6 参考文献 | 第68-72页 |
| 第三章 纳米MOFs薄膜HKUST-1 制备及电致阻变效应的研究 | 第72-97页 |
| 3.1 引言 | 第72-73页 |
| 3.2 HKUST-1 纳米薄膜的制备及表征 | 第73-79页 |
| 3.2.1 MOFs纳米薄膜制备方法的改进 | 第73-76页 |
| 3.2.2 HKUST-1 纳米薄膜的制备和表征 | 第76-79页 |
| 3.3 HKUST-1 电致阻变效应的研究 | 第79-88页 |
| 3.3.1 HKUST-1 电致阻变效应的研究 | 第79-84页 |
| 3.3.2 HKUST-1 柔性电致阻变效应 | 第84-88页 |
| 3.4 HKUST-1 阻变机制及探讨 | 第88-91页 |
| 3.5 本章小节 | 第91-93页 |
| 3.6 参考文献 | 第93-97页 |
| 第四章 应力对I_2@CuTCA纳米薄膜电荷输运的调控研究 | 第97-121页 |
| 4.1 引言 | 第97-99页 |
| 4.2 I_2@CuTCA纳米薄膜的制备 | 第99-104页 |
| 4.2.1 I_2@CuTCA纳米薄膜的制备及表征 | 第99-101页 |
| 4.2.2 I_2@CuTCA纳米薄膜的生长过程 | 第101-104页 |
| 4.3 I_2@CuTCA压阻效应的表征 | 第104-111页 |
| 4.3.1 宏观表征I_2@Cu TCA的压阻效应 | 第105-108页 |
| 4.3.2 I_2@CuTCA微观的压阻效应 | 第108-111页 |
| 4.4 I_2@CuTCA压阻效应机理的分析 | 第111-115页 |
| 4.5 本章小结 | 第115-117页 |
| 4.6 参考文献 | 第117-121页 |
| 第五章 总结与展望 | 第121-123页 |
| 5.1 论文总结 | 第121-122页 |
| 5.2 展望 | 第122-123页 |
| 作者简历 | 第123-124页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第124-128页 |
| 发表文章 | 第124-126页 |
| 申请专利 | 第126页 |
| 参加的学术会议 | 第126-127页 |
| 获得的荣誉 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 八戒 | 第129-132页 |
