| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 功率MOS晶体管的发展 | 第10-14页 |
| 1.2 宇宙环境及其对器件的影响 | 第14-16页 |
| 1.3 空间单粒子效应 | 第16页 |
| 1.4 单粒子效应的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.4.1 国外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4.2 国内研究现状 | 第17-18页 |
| 1.5 单粒子加固器件的商业化现状 | 第18-19页 |
| 1.6 本文主要工作 | 第19-21页 |
| 1.7 本论文的结构安排 | 第21-22页 |
| 第二章 功率MOS晶体管的特性及单粒子效应机理 | 第22-39页 |
| 2.1 功率MOS晶体管的静态特性分析 | 第22-32页 |
| 2.1.1 击穿电压V_(BR) | 第22-26页 |
| 2.1.2 导通电阻 | 第26-29页 |
| 2.1.3 阈值电压 | 第29-32页 |
| 2.2 功率MOS晶体管动态特性分析 | 第32-35页 |
| 2.3 P沟道功率MOS晶体管单粒子效应机理研究 | 第35-37页 |
| 2.3.1 单粒子烧毁机理的研究 | 第35-36页 |
| 2.3.2 单粒子栅穿机理的研究 | 第36-37页 |
| 2.4 P沟道功率MOS总剂量效应机理的研究 | 第37-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 -200V P沟道功率MOS单粒子加固设计与实现 | 第39-55页 |
| 3.1 -200V P沟道功率MOS元胞和终端初步设计 | 第39-43页 |
| 3.1.1 元胞及终端的纵向结构设计 | 第39-40页 |
| 3.1.2 元胞的结构参数初步设计 | 第40-42页 |
| 3.1.3 终端的结构参数的初步设计 | 第42-43页 |
| 3.2 单粒子烧毁和单粒子栅穿的加固设计 | 第43-50页 |
| 3.2.1 单粒子烧毁的加固优化设计及仿真 | 第43-45页 |
| 3.2.2 单粒子栅穿的加固设计及仿真 | 第45-48页 |
| 3.2.3 稳态总剂量的加固设计及仿真 | 第48-49页 |
| 3.2.4 产品版图设计 | 第49-50页 |
| 3.3 单粒子加固工艺设计 | 第50-52页 |
| 3.4 封装工艺及筛选设计 | 第52-54页 |
| 3.4.1 封装工艺 | 第52-54页 |
| 3.4.2 筛选设计 | 第54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 单粒子加固设计的摸底试验及分析 | 第55-70页 |
| 4.1 单粒子摸底试验方法及步骤 | 第55-57页 |
| 4.1.1 单粒子试验方法 | 第55-56页 |
| 4.1.2 单粒子试验步骤 | 第56-57页 |
| 4.2 单粒子效应试验设备的具体情况 | 第57-61页 |
| 4.2.1 单粒子效应的试验设备方式 | 第57-60页 |
| 4.2.2 兰州近代物理所试验设备介绍 | 第60-61页 |
| 4.3 单粒子加固设计的摸底及分析 | 第61-67页 |
| 4.3.1 试验样品准备 | 第61-63页 |
| 4.3.2 单粒子试验束流及步骤 | 第63-64页 |
| 4.3.3 单粒子试验结果 | 第64-65页 |
| 4.3.4 单粒子试验结果分析及改进 | 第65-67页 |
| 4.4 总剂量加固设计的摸底及分析 | 第67-69页 |
| 4.4.1 辐照源及试验方案 | 第67-68页 |
| 4.4.2 总剂量试验结果 | 第68-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论及展望 | 第70-72页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第70页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |