分子/铁磁界面自旋极化界面构型效应研究
中文摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-26页 |
·有机自旋电子学简介 | 第10-11页 |
·有机自旋器件 | 第11-17页 |
·有机自旋阀 | 第11-16页 |
·有机磁体器件 | 第16-17页 |
·有机铁磁界面 | 第17-19页 |
·拟开展的研究内容 | 第19-21页 |
参考文献 | 第21-26页 |
第二章 有机铁磁界面自旋极化理论方法 | 第26-32页 |
·密度泛函理论 | 第26-30页 |
·Born-Oppenheimer近似 | 第26-27页 |
·Hohenberg-Kohn定理 | 第27-28页 |
·Kohn-Sham方程 | 第28-30页 |
·SIESTA软件方法 | 第30-31页 |
参考文献 | 第31-32页 |
第三章 界面接触构型对界面自旋极化的影响 | 第32-44页 |
·引言 | 第32-33页 |
·模型及计算方法 | 第33-34页 |
·结果与讨论 | 第34-39页 |
·小结 | 第39-41页 |
参考文献 | 第41-44页 |
第四章 界面夹角对界面自旋极化的影响 | 第44-54页 |
·引言 | 第44-45页 |
·模型与计算方法 | 第45-46页 |
·结果与讨论 | 第46-50页 |
·小结 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-54页 |
第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
·本文工作总结 | 第54-55页 |
·工作展望 | 第55-56页 |
硕士期间发表论文目录 | 第56-57页 |
攻读硕士期间参与课题 | 第57-58页 |
致谢 | 第58页 |