| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-59页 |
| 第一节 引言 | 第14-15页 |
| 第二节 类石墨烯材料的实验制备和表征 | 第15-27页 |
| ·机械剥离法 | 第15页 |
| ·化学剥离法 | 第15-18页 |
| ·HF湿处理技术 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积技术 | 第19-21页 |
| ·表面外延生长 | 第21-23页 |
| ·一维纳米带的合成 | 第23-25页 |
| ·其它制备方法 | 第25-26页 |
| ·材料表征 | 第26-27页 |
| 第三节 类石墨烯材料的性质和应用 | 第27-48页 |
| ·BN白石墨烯 | 第27-34页 |
| ·硅烯 | 第34-36页 |
| ·MoS_2 | 第36-38页 |
| ·氧化物(α-MoO_3,V_2O_5) | 第38-42页 |
| ·MXene | 第42-44页 |
| ·类石墨状的平面ZnO | 第44-45页 |
| ·2D单层配位聚合物 | 第45-48页 |
| 第四节 本论文的主要研究内容和意义 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-59页 |
| 第二章 理论方法 | 第59-71页 |
| 第一节 引言 | 第59页 |
| 第二节 量子力学基础 | 第59-63页 |
| ·薛定谔方程(Schrodinger equation) | 第59-60页 |
| ·变分原理 | 第60-61页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第61-63页 |
| 第三节 密度泛函理论简介 | 第63-67页 |
| ·电子密度 | 第63-64页 |
| ·Thoms-Fermi模型 | 第64页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第64-65页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第65-67页 |
| 第四节 交换相关能量泛函 | 第67-69页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation,LDA) | 第67-68页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA) | 第68页 |
| ·杂化交换关联泛函 | 第68页 |
| ·其它修正方法 | 第68-69页 |
| 第五节 计算软件简介 | 第69-70页 |
| ·CASTEP | 第69页 |
| ·DMol~3 | 第69页 |
| ·VASP | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第三章 分子掺杂对BN纳米片和纳米带电子能带结构的影响 | 第71-80页 |
| 第一节 引言 | 第71-72页 |
| 第二节 计算方法 | 第72-73页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第73-77页 |
| ·BN纳米片的电荷转移复合物 | 第73-76页 |
| ·BN纳米带的电荷转移复合物 | 第76-77页 |
| 第四节 本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第四章 内层双氢键及外加电场对BN双层电子结构的影响 | 第80-90页 |
| 第一节 引言 | 第80-81页 |
| 第二节 计算方法 | 第81页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第81-87页 |
| ·氢化的BN单层纳米片 | 第81-82页 |
| ·氢化的BN双层纳米片 | 第82-85页 |
| ·外加电场对氢化BN纳米片性质的影响 | 第85-87页 |
| 第四节 本章小结 | 第87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第五章 V_2O_5单层及纳米带结构的计算研究 | 第90-104页 |
| 第一节 引言 | 第90-91页 |
| 第二节 计算方法 | 第91-93页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第93-101页 |
| ·二维单层V_2O_5纳米片 | 第93-94页 |
| ·表面氢化的单层V_2O_5 | 第94-95页 |
| ·一维单层V_2O_5纳米带 | 第95-97页 |
| ·多层锯齿型V_2O_5纳米带 | 第97-99页 |
| ·纳米带的热力学稳定性 | 第99页 |
| ·氢化的单层V_2O_5纳米带 | 第99-101页 |
| 第四节 本章小结 | 第101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 第六章 MXene材料Ti_3C_2储锂性能的计算研究 | 第104-118页 |
| 第一节 引言 | 第104-105页 |
| 第二节 计算方法 | 第105-106页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第106-114页 |
| ·Ti_3C_2和Ti_3C_2X_2(X=F,OH)单层的结构和电学性质 | 第106-108页 |
| ·Li在Ti_3C_2和Ti_3C_2X_2(X=F,OH)表面的吸附和扩散行为 | 第108-113页 |
| ·Ti_3C_2和Ti_3C_2X_2(X=F,OH)单层的平均开路电压和理论储锂容量 | 第113-114页 |
| 第四节 本章小结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-118页 |
| 第七章 表面氢化对纤锌矿ZnO纳米薄片电学和磁学性质的影响 | 第118-132页 |
| 第一节 引言 | 第118-119页 |
| 第二节 计算方法 | 第119-120页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第120-128页 |
| ·裸露的ZnO纳米片 | 第120-122页 |
| ·全氢化的纤锌矿ZnO纳米片 | 第122-123页 |
| ·ZnO纳米片的部分氢化 | 第123-127页 |
| ·全氢化和部分氢化的ZnO纳米片的稳定性比较 | 第127-128页 |
| 第四节 本章小结 | 第128页 |
| 参考文献 | 第128-132页 |
| 第八章 表面效应和边缘效应对GaN纳米带电学性质的影响 | 第132-150页 |
| 第一节 引言 | 第132-133页 |
| 第二节 计算方法 | 第133-134页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第134-144页 |
| ·GaN体相(不存在表面态,边缘态,量子尺寸效应) | 第134页 |
| ·二维GaN纳米片(表面效应和量子尺寸效应) | 第134-138页 |
| ·二维无限厚的GaN纳米带(边缘效应和量子尺寸效应) | 第138-141页 |
| ·有限宽度和厚度的GaN纳米带(表面态,边缘态,量子尺寸效应) | 第141-144页 |
| 第四节 本章小结 | 第144-145页 |
| 参考文献 | 第145-150页 |
| 第九章 单层[Cu_2Br(IN)_2]_n配位聚合物的性质及气体吸附性能研究 | 第150-162页 |
| 第一节 引言 | 第150-151页 |
| 第二节 模型和计算方法 | 第151-153页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第153-159页 |
| ·体相和单层[Cu_2Br(IN)_2]_n配合物的结构,电学和磁学性质 | 第153-155页 |
| ·气体分子在[Cu_2Br(IN)_2]_n(Ⅰ)表面的吸附 | 第155-159页 |
| 第四节 本章小结 | 第159-160页 |
| 参考文献 | 第160-162页 |
| 第十章 镍双(二硫烯)聚合物的性质及乙烯加成活性研究 | 第162-172页 |
| 第一节 引言 | 第162-163页 |
| 第二节 计算方法 | 第163-164页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第164-168页 |
| ·二维镍双(二硫烯)单层纳米片 | 第164-166页 |
| ·乙烯对镍双(二硫烯)纳米片的加成反应 | 第166-168页 |
| 第四节 本章小结 | 第168-169页 |
| 参考文献 | 第169-172页 |
| 第十一章 结论 | 第172-175页 |
| 致谢 | 第175-176页 |
| 个人简历及攻读博士学位期间发表论文情况 | 第176-177页 |
| 个人简历 | 第176页 |
| 发表论文情况 | 第176-177页 |
