致谢 | 第1-8页 |
摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-12页 |
目录 | 第12-15页 |
插图清单 | 第15-17页 |
表格清单 | 第17-18页 |
第一章 绪论 | 第18-28页 |
·太阳能电池的研究背景及发展现状 | 第18页 |
·太阳能电池的分类 | 第18-21页 |
·硅太阳电池 | 第19-20页 |
·有机半导体太阳能电池 | 第20页 |
·多元化合物薄膜太阳电池 | 第20-21页 |
·铜基薄膜太阳电池简介 | 第21-24页 |
·CIGS 太阳电池的研究进展 | 第21页 |
·CZTS 太阳电池研究进展 | 第21-22页 |
·非真空法制备 CIGS 技术简介 | 第22-24页 |
·液相涂覆法制备铜基薄膜太阳电池简介 | 第24-27页 |
·涂覆浆料的制备 | 第24页 |
·溶剂和添加剂的选择 | 第24-25页 |
·前驱物的选择 | 第25-27页 |
·本课题的主要研究内容及意义 | 第27-28页 |
第二章 铜基薄膜太阳电池的原理、结构及表征 | 第28-37页 |
·太阳能电池的原理 | 第28-30页 |
·p 型半导体与 n 型半导体 | 第28-29页 |
·p‐n 结及内建电场 | 第29页 |
·铜基薄膜太阳电池的工作原理 | 第29-30页 |
·CISS 太阳电池的结构 | 第30-32页 |
·CISS 吸收层 | 第30-32页 |
·CdS 缓冲层 | 第32页 |
·i‐ZnO/AZO 窗口层 | 第32页 |
·背电极及衬底 | 第32页 |
·CISS 太阳电池的表征 | 第32-37页 |
·X 射线衍射 | 第32-33页 |
·拉曼散射 | 第33页 |
·扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
·紫外‐可见光‐近红外分光光度计 | 第34-35页 |
·霍尔效应 | 第35-36页 |
·半导体性能测试系统及太阳光模拟器 | 第36-37页 |
第三章 铜铟硒硫太阳电池光吸收层的制备 | 第37-53页 |
·引言 | 第37页 |
·CISS 前驱物溶液组分探索 | 第37-43页 |
·实验设计思路及原料的选择 | 第37-38页 |
·溶液中 Cu、In 元素的化学计量比的影响 | 第38-42页 |
·溶液中正丁胺与 CS2的使用 | 第42-43页 |
·CISS 前驱物薄膜的制备 | 第43-47页 |
·涂膜方法的选择 | 第43-45页 |
·预置膜的热处理工艺 | 第45-47页 |
·CISS 吸收层薄膜的硒化和硫化 | 第47-49页 |
·硒化时间的影响 | 第47-48页 |
·硫化时间的影响 | 第48-49页 |
·最佳制备工艺制得 CISS 吸收层薄膜的表征结果与讨论 | 第49-52页 |
·CISS 吸收层的 XRD 分析 | 第49页 |
·CISS 吸收层拉曼图谱分析 | 第49-50页 |
·CISS 吸收层的光学特性分析 | 第50-51页 |
·CISS 吸收层的 SEM 及 EDS 分析 | 第51-52页 |
·CISS 吸收层的霍尔效应分析 | 第52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
第四章 CZTS 太阳电池吸收层的制备 | 第53-59页 |
·引言 | 第53页 |
·实验设计思路及过程 | 第53-55页 |
·实验设计 | 第53-54页 |
·实验过程 | 第54-55页 |
·实验结果与表征 | 第55-58页 |
·CZTS 吸收层的物相分析(XRD) | 第55-56页 |
·CZTS 吸收层的成分分析(拉曼散射及 EDS) | 第56-57页 |
·CZTS 吸收层的表面形貌分析(SEM) | 第57-58页 |
·CZTS 吸收层的光学特性分析 | 第58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第五章 原理型器件制备 | 第59-65页 |
·引言 | 第59页 |
·化学浴法制备 n 型 CdS 缓冲层 | 第59-61页 |
·化学浴法制备 CdS 缓冲层的机理 | 第59-60页 |
·化学浴法制备 CdS 缓冲层的实验方法 | 第60-61页 |
·磁控溅射法制备 i‐ZnO 及 ZnO:Al 窗口层 | 第61-62页 |
·热蒸发法制备银顶电极 | 第62-63页 |
·原理型器件的测试 | 第63-65页 |
第六章 总结和展望 | 第65-67页 |
·成果与结论 | 第65页 |
·展望 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-73页 |
攻读硕士期间发表的学术论文及专利 | 第73-74页 |