| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·III 族氮化物半导体材料的性质 | 第10-12页 |
| ·晶体结构 | 第10-11页 |
| ·异质结 | 第11-12页 |
| ·量子阱 | 第12-15页 |
| ·量子阱的概念 | 第12-14页 |
| ·GaN/AlGaN 量子阱 | 第14-15页 |
| ·量子阱中的激子理论 | 第15-18页 |
| ·激子的概念 | 第15-16页 |
| ·量子阱中的激子态 | 第16-18页 |
| 第二章 闪锌矿 GaN/AlGaN 量子阱中激子态和光学性质的激光场效应 | 第18-30页 |
| ·研究背景 | 第18-19页 |
| ·理论模型 | 第19-20页 |
| ·计算结果分析与讨论 | 第20-27页 |
| ·小结 | 第27-30页 |
| 第三章 静水压力和激光场对 GaAs/AlGaAs 量子阱中激子态的光学性质的竞争效应 | 第30-42页 |
| ·研究背景 | 第30-31页 |
| ·理论模型 | 第31-40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 第四章 闪锌矿 GaN/AlGaN 量子阱中激子态和光学性质的激光场和电场的竞争效应 | 第42-54页 |
| ·研究背景 | 第42-43页 |
| ·理论模型 | 第43-51页 |
| ·小结 | 第51-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第64-65页 |
