| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·AlInN 材料及器件的研究进展 | 第10-16页 |
| ·AlInN 材料的性质 | 第10-11页 |
| ·AlInN 材料的研究概况 | 第11-13页 |
| ·AlInN 材料在器件中的应用 | 第13-16页 |
| ·本文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 AlInN 薄膜的 MOCVD 生长 | 第17-25页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD)简介 | 第17-18页 |
| ·MOCVD 外延生长 AlInN 材料的难点 | 第18-19页 |
| ·AlInN 材料的表征方法 | 第19-25页 |
| ·高分辨 X 射线衍射技术 | 第19-21页 |
| ·原子力显微镜 | 第21页 |
| ·透射电子显微镜 | 第21-22页 |
| ·二次离子质谱仪 | 第22-23页 |
| ·阴极荧光谱仪 | 第23-24页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第24-25页 |
| 第三章 生长条件对 AlInN 薄膜质量和表面形貌的影响 | 第25-36页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·材料生长 | 第26-29页 |
| ·氨气流量对 AlInN 薄膜质量和表面形貌的影响 | 第29-31页 |
| ·反应室压力对 AlInN 薄膜质量和表面形貌的影响 | 第31-34页 |
| ·氨气流量和反应室压力的综合影响分析 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 AlInN 外延材料中的缺陷及光电性能研究 | 第36-51页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·V 型缺陷 | 第36-38页 |
| ·相分离 | 第38-40页 |
| ·非故意掺杂 Ga 原子 | 第40-42页 |
| ·AlInN 外延材料的光电性能研究 | 第42-50页 |
| ·AlInN 的光学性能研究 | 第42-47页 |
| ·AlInN 的电学性能研究 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
