10G bit/s 850nm垂直腔表面发射激光器的设计与研制

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第1章 绪论	第7-20页
·VCSEL 介绍	第7-10页
·VCSEL 的发展历史及研究现状	第10-15页
·VCSEL 的发展历史	第10-12页
·VCSEL 的研究现状	第12-15页
·不同结构的 VCSEL	第15-17页
·本论文研究背景及意义	第17-18页
·本论文主要研究内容	第18-20页
·论文研究的主要内容	第18-19页
·论文结构安排	第19-20页
第2章 VCSEL 的理论分析	第20-33页
·量子阱理论分析	第20-23页
·非应变量子阱	第20-21页
·势垒材料的选取	第21-22页
·量子阱能级计算	第22-23页
·DBR 理论分析	第23-26页
·DBR 反射率计算	第24-26页
·DBR 损耗	第26页
·光场分析	第26-29页
·热特性分析	第29-33页
·温度对禁带宽度的影响	第29页
·温度对 DBR 的影响	第29-31页
·温度对漏电流的影响	第31-33页
第3章 VCSEL 的工艺介绍	第33-49页
·材料生长	第33-37页
·表面工艺	第37-49页
·腐蚀工艺	第37-39页
·光刻工艺	第39-42页
·湿法氧化工艺	第42-44页
·平坦化工艺	第44-46页
·欧姆接触工艺	第46-49页
第4章 VCSEL 的测试及分析	第49-56页
·光电特性测试	第49-52页
·眼图	第52-56页
第5章 总结与展望	第56-57页
参考文献	第57-60页
致谢	第60-61页
附录 1 硕士期间发表的论文情况	第61-62页
附录 2 主要英文缩写语对照表	第62页