| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·本论文的研究对象及国内外研究概况 | 第7-9页 |
| ·本论文的研究内容 | 第9-11页 |
| 第二章 理论原理和计算方法 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·薛定谔（ Schr dinger）方程 | 第11-12页 |
| ·自洽场方法（ HF） | 第12页 |
| ·电子相关 | 第12-13页 |
| ·组态相关（ Configuration Interaction）方法 | 第13页 |
| ·耦合簇（ Couple-Cluster） | 第13-14页 |
| ·M ller-Plesse 微扰理论 | 第14页 |
| ·密度泛函理论（ DFT） | 第14-17页 |
| ·势能面 | 第17-18页 |
| ·计算方法 | 第18-21页 |
| 第三章 CrSin(n=1-6)原子簇结构和性质的研究 | 第21-38页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·计算方法 | 第21-22页 |
| ·计算结果与讨论 | 第22-30页 |
| ·CrSi、 CrSi-和 CrSi+ | 第22-23页 |
| ·CrSi2、CrSi2-和 CrSi2+ | 第23-25页 |
| ·CrSi3、CrSi3-和 CrSi3+ | 第25-26页 |
| ·CrSi4、CrSi4-和 CrSi4+ | 第26-28页 |
| ·CrSi5、CrSi5-和 CrSi5+ | 第28-29页 |
| ·CrSi6、CrSi6-和 CrSi6+ | 第29-30页 |
| ·电子亲和能 | 第30-33页 |
| ·解离能 | 第33-34页 |
| ·核价电子额外相关修正能 E CV对 ccCA 方法的影响 | 第34-35页 |
| ·探讨 CrSin(n=3-6)团簇的生长规律 | 第35-38页 |
| 第四章 结论 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 在读期间取得的科研成果 | 第45页 |
