单光子探测猝灭技术的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·单光子探测技术简介 | 第11页 |
| ·单光子探测的发展现状 | 第11-16页 |
| ·单光子探测的原理 | 第16-18页 |
| ·几种雪崩光电二极管的比较 | 第18-20页 |
| ·单光子探测技术的应用 | 第20-23页 |
| ·论文研究内容和结构安排 | 第23-25页 |
| 第二章 雪崩光电二极管(APD) | 第25-33页 |
| ·APD 工作机理简介 | 第25-27页 |
| ·光电探测材料 | 第27-28页 |
| ·APD 的芯片结构 | 第28-29页 |
| ·APD 的探测效率 | 第29-30页 |
| ·选择合适的 APD | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 APD 实现单光子探测 | 第33-51页 |
| ·雪崩光电二极管 APD 单光子探测的工作机理 | 第33-41页 |
| ·雪崩光电二极管 APD 的雪崩倍增效应 | 第37-39页 |
| ·雪崩光电二极管的盖革模式 | 第39-41页 |
| ·雪崩光电二极管 APD 单光子探测的特性参数 | 第41-50页 |
| ·量子效率η及响应度 R | 第42-43页 |
| ·暗电流 | 第43-44页 |
| ·雪崩倍增因子 M | 第44-47页 |
| ·过剩噪声 | 第47-49页 |
| ·时间抖动 | 第49页 |
| ·信噪比 SNR | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 基于时间延迟的主动猝灭方式 | 第51-67页 |
| ·现有的 APD 的工作模式 | 第51-56页 |
| ·被动猝灭 | 第51-53页 |
| ·主动猝灭模式 | 第53-54页 |
| ·混合抑制模式 | 第54-55页 |
| ·门控抑制模式 | 第55-56页 |
| ·基于时间延迟的主动猝灭方式的系统特性的理论分析 | 第56-59页 |
| ·基于时间延迟的主动猝灭方式 | 第59-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 实验验证 | 第67-78页 |
| ·实验目的 | 第67页 |
| ·实验系统构成 | 第67页 |
| ·APD 直流偏压源的设计 | 第67-70页 |
| ·信号提取电路 | 第70-72页 |
| ·前置放大电路 | 第70-71页 |
| ·计时电路 | 第71-72页 |
| ·实验分析 | 第72-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 结束语 | 第78-80页 |
| ·主要工作及结论 | 第78-79页 |
| ·工作展望 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第85-86页 |
