| 摘要 | 第1-15页 |
| ABSTRACT | 第15-20页 |
| 本文创新和主要贡献 | 第20-21页 |
| 符号说明 | 第21-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-48页 |
| ·前言 | 第22页 |
| ·碳材料的氧化 | 第22-23页 |
| ·碳材料的抗氧化方法 | 第23-33页 |
| ·基体改性技术 | 第24-25页 |
| ·涂层技术 | 第25-33页 |
| ·本文的选题依据 | 第33-37页 |
| ·本文的研究目的和研究内容 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-48页 |
| 第二章 技术路线、实验材料与实验方法 | 第48-56页 |
| ·技术路线 | 第48页 |
| ·实验材料 | 第48-49页 |
| ·实验设备 | 第49-51页 |
| ·样品的制备 | 第51-52页 |
| ·试样预处理 | 第51页 |
| ·包埋法制备涂层 | 第51-52页 |
| ·浸渍法制备SiC晶须 | 第52页 |
| ·粉末法制备SiC晶须 | 第52页 |
| ·测试与表征方法 | 第52-55页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第52-53页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第53页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第53页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第53页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第53-54页 |
| ·热分析(TG/DSC) | 第54页 |
| ·孔隙率和密度的测试 | 第54-55页 |
| ·抗氧化性能测试 | 第55页 |
| ·抗热震性能测试 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 SiC涂层的失效行为 | 第56-72页 |
| ·前言 | 第56页 |
| ·实验过程 | 第56-57页 |
| ·SiC涂层的制备 | 第56-57页 |
| ·SiC涂层的性能测试 | 第57页 |
| ·SiC涂层的结构与形貌 | 第57-60页 |
| ·SiC涂层的氧化失效 | 第60-65页 |
| ·SiC涂层的热震失效 | 第65-67页 |
| ·SiC涂层的开裂机理 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第四章 晶须改性SiC涂层的研究 | 第72-86页 |
| ·前言 | 第72-73页 |
| ·浸渍法引入SiC晶须层 | 第73-76页 |
| ·含硅先驱体的选择 | 第73-74页 |
| ·H-PSO热处理前后化学结构的表征 | 第74-76页 |
| ·SiC晶须改性SiC涂层 | 第76-83页 |
| ·SiC晶须改性SiC涂层的制备 | 第76页 |
| ·涂层的性能测试 | 第76页 |
| ·涂层的结构与形貌 | 第76-80页 |
| ·涂层的抗氧化性能 | 第80-83页 |
| ·本章小结 | 第83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第五章 MoSi_2改性SiC涂层的研究 | 第86-104页 |
| ·前言 | 第86页 |
| ·均匀设计法研究MoSi_2改性SiC涂层的工艺 | 第86-88页 |
| ·实验参数设计 | 第86-88页 |
| ·涂层的制备及性能测试 | 第88页 |
| ·均匀设计分析 | 第88-94页 |
| ·氧化实验结果计算 | 第88-89页 |
| ·制备工艺回归分析 | 第89-94页 |
| ·MoSi_2改性SiC涂层 | 第94-102页 |
| ·MoSi_2改性SiC涂层的制备 | 第94页 |
| ·涂层性能测试 | 第94-95页 |
| ·MoSi_2改性SiC涂层的结构与形貌 | 第95-98页 |
| ·涂层的抗氧化性能 | 第98-100页 |
| ·涂层的抗热震性能 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-104页 |
| 第六章 SiC晶须增强SiC/Si/MoSi_2涂层的制备与性能研究 | 第104-128页 |
| ·前言 | 第104页 |
| ·石墨基体表面SiC/Si/MoSi_2复合涂层在1000℃下的应用与性能研究 | 第104-111页 |
| ·涂层的制备 | 第104-105页 |
| ·测试方法 | 第105页 |
| ·涂层的抗氧化性能 | 第105-111页 |
| ·本节小结 | 第111页 |
| ·石墨基体表面SiC/Si/MoSi_2复合涂层在1400℃下的应用与性能研究 | 第111-118页 |
| ·涂层的制备 | 第111-112页 |
| ·测试方法 | 第112页 |
| ·涂层的抗氧化性能 | 第112-118页 |
| ·本节小结 | 第118页 |
| ·C/C基体表面SiC/Si/MoSi_2复合涂层在1400℃下的应用与性能研究 | 第118-123页 |
| ·涂层的制备 | 第118-119页 |
| ·测试方法 | 第119页 |
| ·涂层的抗氧化性能 | 第119-123页 |
| ·本节小结 | 第123页 |
| ·抗热震性能 | 第123-124页 |
| ·本章小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-128页 |
| 第七章 SiC晶须制备新工艺及其在涂层中的应用 | 第128-154页 |
| ·前言 | 第128页 |
| ·SiC晶须层的制备工艺优化 | 第128-135页 |
| ·正交试验法研究SiC晶须的制备工艺 | 第128-129页 |
| ·正交试验分析 | 第129-131页 |
| ·SiC晶须的结构与形貌 | 第131-135页 |
| ·温度对SiC晶须形成的影响 | 第135-145页 |
| ·实验过程 | 第135页 |
| ·性能测试 | 第135-136页 |
| ·不同温度下SiC晶须的表面形貌及结构 | 第136-138页 |
| ·SiC晶须的内部形貌及结构 | 第138-140页 |
| ·SiC晶须的生长机理分析 | 第140-145页 |
| ·本节小结 | 第145页 |
| ·SiC晶须制备新工艺在涂层中的应用 | 第145-150页 |
| ·实验过程 | 第145页 |
| ·性能测试 | 第145-146页 |
| ·以石墨材料为基体制备的涂层性能 | 第146-150页 |
| ·本章小结 | 第150-151页 |
| 参考文献 | 第151-154页 |
| 第八章 结论 | 第154-156页 |
| 致谢 | 第156-158页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第158-161页 |
| 参与科研项目及获奖情况 | 第161-162页 |
| 附录 | 第162-174页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第174页 |
