| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·薄膜晶体管的研究背景 | 第9-17页 |
| ·用于平板显示的薄膜晶体管发展历史 | 第9-12页 |
| ·金属氧化物薄膜晶体管的研究进展 | 第12-17页 |
| ·薄膜晶体管需要解决的问题 | 第17-18页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第18-19页 |
| 第2章 实验及相关物理原理 | 第19-22页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第19页 |
| ·TFT器件的表征方法 | 第19-20页 |
| ·光刻的原理及其工艺 | 第20-22页 |
| 第3章 氧化钽绝缘层TFT的研制 | 第22-42页 |
| ·氧化钽绝缘层薄膜晶体管的制备 | 第22-24页 |
| ·氧化钽绝缘层TFT的电学性能优化 | 第24-38页 |
| ·确定最佳ZnO的厚度 | 第25-28页 |
| ·确定最佳的绝缘层厚度 | 第28-35页 |
| ·最佳退火时间的确定 | 第35-37页 |
| ·阈值电压的理论计算 | 第37-38页 |
| ·薄膜的光学性能研究 | 第38-39页 |
| ·薄膜的表面形貌表征(AFM) | 第39-40页 |
| ·薄膜物相结构的表征(XRD) | 第40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 第4章 氧化铪和三明治结构的绝缘层TFT的研制 | 第42-53页 |
| ·氧化铪绝缘层薄膜晶体管的研制 | 第42-46页 |
| ·制备过程如下 | 第42-43页 |
| ·氧化铪绝缘层TFT电学性能研究 | 第43-46页 |
| ·Au电极TFT器件 | 第43-45页 |
| ·Al电极TFT器件 | 第45-46页 |
| ·两种电极TFT器件的比较分析 | 第46页 |
| ·三明治结构的绝缘层TFT的研制 | 第46-52页 |
| ·三明治结构TFT的制备过程如下 | 第46-47页 |
| ·三明治结构TFT电学性能研究 | 第47-52页 |
| ·不同退火时间对器件性能的影响 | 第47-50页 |
| ·三明治结构TFT和氧化钽绝缘层TFT器件电学性能比较 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第5章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 附录 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |