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Si(100)表面吸附EO分子的第一性原理研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-12页
   ·研究的意义第7-8页
   ·半导体表面的研究概述第8-9页
     ·表面研究的基本内容和基本方法第8页
     ·半导体材料表面研究进展第8-9页
   ·Si(100)表面的研究现状第9-11页
   ·本论文的主要究研内容第11-12页
第二章 基础理论和计算方法第12-28页
   ·密度泛函理论(DFT)第12-16页
     ·Hohenberg-Kohn定理第12-13页
     ·Kohn-Sham方程第13-14页
     ·局域密度近似(LDA)第14-15页
     ·广义梯度近似(GGA)第15-16页
   ·雁势方法(PSEUDOPOTENTIAL METHOD)第16-17页
     ·范数不变赝势(norm -conserving pseudopotential,NCPP)第16页
     ·超软赝势(Ultrasoft Pseudopotential USPP)第16-17页
   ·投影缀加波(PAW)方法第17-25页
     ·PAW引入第17-20页
     ·PAW方法中的能量表示第20-23页
     ·PAW方法下的Hamilton算符第23-24页
     ·PAW方法下的力表示第24-25页
   ·超元胞模型及平面波基组第25-27页
   ·VASP软件包简介第27-28页
第三章 Si(100)-2×1重构表面研究第28-34页
   ·计算方法和模型第28-29页
   ·计算结果与分析第29-34页
     ·Si(100)重构表面结构分析第29-32页
     ·Si(100)重构表面态密度分析第32-34页
第四章 硅表面EO分子的吸附研究第34-44页
   ·计算模型第34-37页
   ·计算结果与分析第37-44页
     ·吸附模型结构分析第37-39页
     ·吸附结构表面态密度分析第39-44页
第五章 总结与展望第44-46页
参考文献第46-51页
致谢第51页

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