| 第一章 引论 | 第1-23页 |
| 1． 概述 | 第11页 |
| 2． 加速器质谱计系统 | 第11-15页 |
| 2．1 普通质谱 | 第11-12页 |
| 2．2 加速器质谱 | 第12-15页 |
| 2．2．1 离子源 | 第12-13页 |
| 2．2．2 低能注入系统 | 第13页 |
| 2．2．3 串列加速器 | 第13页 |
| 2．2．4 高能分析系统 | 第13-14页 |
| 2．2．5 探测器 | 第14-15页 |
| 3． AMS测量中排除本底的方法 | 第15-18页 |
| 3．1 同位素本底的排除方法 | 第15页 |
| 3．2 同量异位素本底的排除方法 | 第15-18页 |
| 3．2．1 负离子或分子离子法 | 第16页 |
| 3．3．2 能量损失法 | 第16-17页 |
| 3．3．3 充气磁谱仪 | 第17-18页 |
| 3．3．4 全剥离法 | 第18页 |
| 3．3．5 激光和强电场法 | 第18页 |
| 3．3．6 入射离子X射线法 | 第18页 |
| 3．3．7 充气飞行时间法 | 第18页 |
| 4． 中国原子能科学研究院的AMS系统 | 第18-23页 |
| 4．1 离子源、加速器 | 第18-20页 |
| 4．2 高能分析与传输部分 | 第20页 |
| 4．3 探测器部分 | 第20-23页 |
| 第二章 重离子碰撞时的物理现象研究 | 第23-40页 |
| 1． 重离子碰撞是特征X射线的截面 | 第23-27页 |
| 1．1 靶的KX截面 | 第23-24页 |
| 1．2 入射离子KX截面 | 第24-27页 |
| 1．2．1 入射离子KX截面与离子的电荷态、能量及靶厚的关系 | 第24页 |
| 1．2．2 入射离子KX截面与靶材料的关系 | 第24-27页 |
| 2． 特征X射线的移动及展宽 | 第27-33页 |
| 2．1 Doppler移动及展宽 | 第27-30页 |
| 2．2 电离引起的移动及展宽 | 第30-33页 |
| 3． 特征X射线K_α/K_β强度的变化 | 第33-34页 |
| 4． 荧光产额的变化 | 第34-36页 |
| 5． 射离子与靶K壳层空穴产生截面的关系 | 第36-37页 |
| 6． 辐射电子俘获X射线 | 第37-40页 |
| 第三章 ~（79）Se的PX-AMS测定研究 | 第40-57页 |
| 第一部分： PX-AMS测定研究 | 第40-46页 |
| 1． 引言 | 第40页 |
| 2． PX-AMS的基本原理 | 第40-41页 |
| 3． PX-AMS测量方法 | 第41-42页 |
| 4． PX-AMS的应用及局限 | 第42-44页 |
| 4．1 探测效率 | 第42-43页 |
| 4．2 本底水平 | 第43-44页 |
| 4．3 探测限 | 第44页 |
| 5． PX-AMS的意义 | 第44-45页 |
| 6． 原子能科学研究院的PX-AMS系统 | 第45-46页 |
| 第二部分： ~（79）Se的加速器质谱测定研究 | 第46-57页 |
| 1． 引言 | 第46页 |
| 2． ~（79）Se测定方法的研究 | 第46-49页 |
| 2．1 干扰核素 | 第46页 |
| 2．2 同位素本底排除方法的研究 | 第46-47页 |
| 2．3 同量异位素本底排除的方法 | 第47-49页 |
| 3． ~（79）Se的加速器质谱测量 | 第49-57页 |
| 3．1 测量条件的研究 | 第49-53页 |
| 3．1．1 样品形式 | 第49页 |
| 3．1．2 同位素本底情况 | 第49-50页 |
| 3．1．3 同量异位素鉴别条件的研究 | 第50-53页 |
| 3．2 实验装置和实验条件 | 第53-54页 |
| 3．3 提高~（79）Se测量灵敏度一些可能的方法 | 第54-57页 |
| 3．3．1 样品制备和存放 | 第54-55页 |
| 3．3．2 分子离子方法 | 第55-57页 |
| 第四章 ~（79）Se半衰期的测定 | 第57-70页 |
| 1． 引言 | 第57页 |
| 2． 利用AMS技术测量放射性核素半衰期的原理 | 第57页 |
| 3． ~（79）Se半衰期的PX-AMS法测定 | 第57-64页 |
| 3．1 ~（79）Se样品的制备及放射性活度的测量 | 第58-59页 |
| 3．2 样品中~（79）Se原子数的测定 | 第59-64页 |
| 3．2．1 Se特征K_α射线的探测效率 | 第59-60页 |
| 3．2．2 ~（79）Se/Se比值的测定 | 第60-64页 |
| 3．3 ~（79）Se的半衰期 | 第64页 |
| 4． ~（75）Se半衰期的PX-AMS法测定 | 第64-67页 |
| 4．1 ~（75）Se样品的制备 | 第64-65页 |
| 4．1．1 ~（75）Se样品的产生 | 第64页 |
| 4．1．2 ~（75）Se放射性的测定 | 第64-65页 |
| 4．2 样品中~（75）Se原子数的PX-AMS法测定 | 第65-66页 |
| 4．3 ~（75）Se半衰期的测定值 | 第66-67页 |
| 5． 利用相对法测量~（79）Se的半衰期 | 第67-70页 |
| 5．1 基本原理 | 第67-68页 |
| 5．2 实验结果 | 第68-70页 |
| 第五章 ~（64）Cu离线放射性束成分及强度的PX-AMS法测定 | 第70-81页 |
| 1． 引言 | 第70页 |
| 2． ~（64）Cu放射性核束的产生 | 第70页 |
| 3． 放射性核素成分的测定 | 第70-75页 |
| 3．1 离子束中同位素本底的鉴别及排除 | 第70-72页 |
| 3．1．1 同位素本底的来源 | 第70-71页 |
| 3．1．2 同位素本底强度的测量及排除 | 第71-72页 |
| 3．2 离子束中同量异位素的鉴别 | 第72-75页 |
| 4． 放射性核束强度的测量 | 第75-81页 |
| 4．1 测量装置 | 第75页 |
| 4．2 X射线谱的分析 | 第75-77页 |
| 4．3 强度的测定 | 第77-81页 |
| 4．3．1 入射离子X射线的效率 | 第77页 |
| 4．3．2 ~（64）Cu强度的测量 | 第77-81页 |
| 第六章 总结 | 第81-82页 |
