| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究意义 | 第9-10页 |
| ·同位素电池发展概述 | 第10-12页 |
| ·4H-SiC PiN结辐射伏特效应同位素电池的特点 | 第12-14页 |
| ·主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 结型同位素电池的工作原理及相关器件的初步研究 | 第15-25页 |
| ·结型同位素电池的结构 | 第15-16页 |
| ·β射线辐射伏特效应同位素电池的基本工作原理 | 第16-20页 |
| ·平衡状态下的PiN二极管 | 第16-17页 |
| ·β射线辐照下的PiN结 | 第17-20页 |
| ·β射线与半导体的相互作用 | 第20页 |
| ·基于β射线辐射伏特效应的相关器件研究 | 第20-23页 |
| ·4H-SiC肖特基结同位素电池 | 第20-22页 |
| ·基于碳化硅三极管的β射线探测器 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 4H-SiC PiN结同位素电池模型及参数设计 | 第25-47页 |
| ·4H-SiC PiN结同位素电池设计中的关键因素 | 第25-26页 |
| ·同位素电池电极的设计 | 第26-31页 |
| ·蒙特卡罗方法介绍 | 第26-27页 |
| ·金属电极对电子束的阻挡能力模拟 | 第27-30页 |
| ·器件版图设计 | 第30-31页 |
| ·同位素源的选取及外延层厚度的设计 | 第31-38页 |
| ·同位素源的选取 | 第31-32页 |
| ·Ni-63 β射线衰变能谱的计算 | 第32页 |
| ·Ni-63 β射线在SiC中的能量淀积 | 第32-34页 |
| ·电子-空穴对的平均产生能及产生率 | 第34-38页 |
| ·同位素电池理论模型的研究 | 第38-44页 |
| ·反向饱和漏电流的计算 | 第39-40页 |
| ·串并联电阻等相关参数的计算 | 第40页 |
| ·短路电流，开路电压等输出参数的计算 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-47页 |
| 第四章 同位素电池的制备和测试 | 第47-59页 |
| ·SiC PiN二极管的关键制备工艺研究 | 第47-51页 |
| ·外延材料的制备 | 第47-48页 |
| ·器件之间的隔离 | 第48-49页 |
| ·欧姆接触 | 第49-51页 |
| ·SiC PiN二极管制备流程 | 第51-53页 |
| ·实验结果测试分析 | 第53-56页 |
| ·比接触电阻测试 | 第53-55页 |
| ·二极管直流特性测试 | 第55-56页 |
| ·碳化硅同位素电池性能测试 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 科研成果 | 第69-70页 |
