| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| ·选题的意义 | 第12-13页 |
| ·目前国内外关于织构形成机制研究的发展现状 | 第13-17页 |
| ·余氏理论(EET)简介及其在气相沉积织构形成机理上的应用 | 第17-30页 |
| ·余氏理论的基本思想 | 第17-20页 |
| ·余氏理论的基本假说 | 第20-23页 |
| ·键矩差(BLD)法 | 第23-28页 |
| ·EET理论在气相沉积薄膜织构形成机理中的应用 | 第28-30页 |
| 第二章 在非晶或多晶衬底上气相沉积bcc金属过程中织构的形成与价电子结构的关系 | 第30-39页 |
| ·体心立方金属的价电子结构分析 | 第30-34页 |
| ·bcc金属气相沉积过程中的晶核团簇与织构形成的关系 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 在非晶或多晶衬底上气相沉积hcp金属过程中织构的形成与价电子结构的关系 | 第39-48页 |
| ·密排六方价电子结构的计算 | 第39-42页 |
| ·沉积过程中织构的分析 | 第42-44页 |
| ·其它hcp金属的价电子结构及织构分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 在非晶或多晶衬底上气相沉积金刚石薄膜的价电子结构与所形成织构的关系 | 第48-55页 |
| ·金刚石的价电子结构及沉积织构分析 | 第49-54页 |
| ·金刚石的价电子结构 | 第49页 |
| ·沉积过程中的织构的分析 | 第49-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 硅单晶上类金刚石薄膜织构取向与界面价电子结构的关系 | 第55-65页 |
| ·前言 | 第55-56页 |
| ·Si 衬底与沉积所得织构的界面电子密度差的计算 | 第56-61页 |
| ·作为衬底的 Si的相应晶面的电子密度 | 第56-58页 |
| ·金刚石薄膜中出现的织构的面电子密度 | 第58-59页 |
| ·c-BN薄膜中出现的织构的面电子密度 | 第59-60页 |
| ·Si衬底与沉积所得织构的界面电子密度差的计算 | 第60-61页 |
| ·计算的结果及讨论 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第75-76页 |
