摘要 | 第1-10页 |
Abstract | 第10-12页 |
第一章 研究背景、意义及方法 | 第12-29页 |
·团簇科学的发展和研究意义 | 第12-15页 |
·理论方法和计算步骤 | 第15-21页 |
·理论方法 | 第15-17页 |
·密度泛函(DFT)及杂化密度泛函B3LYP方法 | 第17-21页 |
·计算步骤 | 第21页 |
·本文的研究内容和意义 | 第21-24页 |
参考文献 | 第24-29页 |
第二章 C_nS~(2-)(n=6-18)团簇的理论研究 | 第29-46页 |
·前言 | 第29-30页 |
·结构模型和基态构型 | 第30-32页 |
·成键性质 | 第32-36页 |
·价电子结构 | 第36页 |
·振动频率 | 第36-39页 |
·相邻团簇的能量差和增量结合能 | 第39-41页 |
·电子解离能和二级电子解离能 | 第41-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-46页 |
第三章 C_nAl_2~+(n=1-8)团簇的理论研究 | 第46-58页 |
·前言 | 第46-47页 |
·结构模型和基态构型 | 第47-49页 |
·成键性质 | 第49-51页 |
·价电子结构和振动频率 | 第51-53页 |
·相邻团簇的能量差和增量结合能 | 第53-55页 |
·垂直电离能 | 第55-56页 |
·小结 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-58页 |
第四章 HC_nSi~+(n=1-10)团簇的理论研究 | 第58-72页 |
·前言 | 第58-59页 |
·结构模型和基态构型 | 第59-60页 |
·价电子结构和振动频率 | 第60-63页 |
·成键性质 | 第63-65页 |
·相邻团簇的能量差和增量结合能 | 第65-68页 |
·绝热电离能 | 第68页 |
·解离通道 | 第68-70页 |
·小结 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-72页 |
在学期间发表的论文 | 第72-73页 |
致谢 | 第73页 |