| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-37页 |
| 1 多孔硅基薄膜的研究进展 | 第13-21页 |
| ·研究硅基薄膜的重要意义 | 第13-14页 |
| ·硅基发光材料的研究发展 | 第14-19页 |
| ·多孔硅的发光性能及发光机理 | 第19-21页 |
| ·等离子体化学气相沉积 | 第21-30页 |
| ·等离子体概述 | 第21-24页 |
| ·等离子体化学气相沉积技术 | 第24-27页 |
| ·常压等离子体化学气相沉积及其机制 | 第27-30页 |
| ·本文的研究内容与创新点 | 第30-32页 |
| ·本文的结构 | 第30-31页 |
| ·本文的创新点 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-37页 |
| 第2章 实验设计 | 第37-44页 |
| ·常压等离子化学气相沉积薄膜实验 | 第37-42页 |
| ·实验装置与特点 | 第37-39页 |
| ·制样方法与过程 | 第39-40页 |
| ·常压介质阻挡放电参量的测定 | 第40-41页 |
| ·等离子体发射光谱的诊断研究及电子温度的测定 | 第41-42页 |
| ·纳米硅基薄膜的表征 | 第42-43页 |
| ·表面物理形态 | 第42页 |
| ·膜的缺陷分析 | 第42-43页 |
| ·薄膜的化学组成 | 第43页 |
| ·膜的化学结构 | 第43页 |
| ·膜的化学成分 | 第43页 |
| ·多孔硅基薄膜的发光特性的研究 | 第43-44页 |
| 第3章 常压等离子体化学气相沉积放电过程的研究 | 第44-66页 |
| ·介质阻挡放电的特征 | 第44-47页 |
| ·丝状放电 | 第44-45页 |
| ·大气压辉光放电 | 第45-47页 |
| ·介质阻挡放电的物理过程 | 第47-49页 |
| ·介质表面电荷对后续放电的影响 | 第49-50页 |
| ·介质阻挡放电特性分析 | 第50-52页 |
| ·介质阻挡放电特性分析 | 第52-57页 |
| ·介质阻挡放电功率 | 第52-54页 |
| ·李萨如图形测量原理 | 第54-56页 |
| ·李萨如图形测量结果及讨论 | 第56-57页 |
| ·介质阻挡放电发射光谱诊断研究 | 第57-62页 |
| ·介质阻挡放电等离子体光谱诊断装置简述 | 第57-58页 |
| ·等离子体发射光谱测量结果及分析 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第4章 PECVO制备纳米多孔硅基薄膜的表征 | 第66-85页 |
| ·纳米硅基薄膜的表面形貌 | 第66-70页 |
| ·薄膜沉积过程和表面形貌 | 第66-67页 |
| ·硅烷流量对薄膜沉积的影响 | 第67-68页 |
| ·衬底偏压对薄膜的表面形貌的影响 | 第68-70页 |
| ·正电子湮没技术对多孔硅基薄膜的研究 | 第70-73页 |
| ·正电子湮没技术和慢正电子束流实验 | 第70-71页 |
| ·偏压对薄膜的点缺陷类型的影响 | 第71-72页 |
| ·慢速正电子湮灭S参数的分析 | 第72-73页 |
| ·薄膜的化学组成和化学结构分析 | 第73-81页 |
| ·薄膜的化学组成 | 第73-74页 |
| ·傅里叶红外吸收谱的化学结构分析 | 第74-76页 |
| ·薄膜组态的X射线光电子能谱分析 | 第76-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第5章 纳米多孔硅基薄膜的微结构及其发光特性的研究 | 第85-99页 |
| ·纳米多孔硅基薄膜的光致发光特性 | 第85-88页 |
| ·电化学方法制备的多孔硅的发光和吸收 | 第85-86页 |
| ·纳米多孔硅基薄膜的蓝光区光致发光 | 第86-87页 |
| ·光致发光谱的拟合 | 第87-88页 |
| ·光致发光强度影响因素的讨论 | 第88-91页 |
| ·偏压对发光强度的影响 | 第88-90页 |
| ·光致荧光的时效性 | 第90-91页 |
| ·荧光的产生机理分析和探讨 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第6章 结论 | 第99-101页 |
| 攻读学位期间论文发表情况 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |